[發明專利]OLED顯示面板及其制備方法在審
| 申請號: | 202210384889.2 | 申請日: | 2022-04-13 |
| 公開(公告)號: | CN114899205A | 公開(公告)日: | 2022-08-12 |
| 發明(設計)人: | 劉娜;孫壘濤;黃燦;張春鵬;鮮于文旭 | 申請(專利權)人: | 武漢華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570 | 代理人: | 楊瑞 |
| 地址: | 430079 湖北省武漢市東湖新技術*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | oled 顯示 面板 及其 制備 方法 | ||
本發明提供一種OLED顯示面板及其制備方法,本發明的OLED顯示面板為底發射型顯示面板,發光器件中的陰極無需采用較薄透光層,避免其電阻值較大,會出現明顯的壓降,導致出現負載過大的問題;另外本發明的第二驅動晶體管和發光器件分別制作于上下兩個不同的基板上,然后再通過上下基板之間的電性連接層電連接,可減少單一基板制程工藝復雜性,第二驅動晶體管與發光器件垂直排布,可進一步提高顯示面板的出光面積和出光效率。
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,具體而言,涉及一種OLED顯示面板及其制備方法。
背景技術
OLED顯示面板由于具有自發光、驅動電壓低、發光效率高、響應時間短、清晰度與對比度高、近180°視角、使用溫度范圍寬、可實現柔性顯示以及大面積全色顯示等諸多優點,在顯示領域、照明領域及智能穿戴等領域有著廣泛地應用。
OLED顯示面板是通過將有機半導體發光材料在電場驅動下驅使載流子注入和復合而發光,按照光的出射方式可以分為底發射型和頂發射型兩大類。目前頂發射方案主要應用于中小尺寸產品,因為頂發射方案光必須穿過金屬陰極,金屬陰極需要做得很薄才能實現高透過率,金屬陰極為提高其透明性,膜層較薄,但是金屬陰極變薄之后,電阻又會變大,對于大尺寸OLED顯示面板,會出現明顯的壓降,導致出現負載過大,影響正常顯示品質的問題。
綜上,需要提出一種新的OLED顯示面板及其制備方法,以解決頂發射型OLED顯示面板因透光率的陰極電阻值較大,會出現明顯的壓降,導致出現負載過大,影響正常顯示品質的問題。
發明內容
本申請依據現有技術問題,提供一種OLED顯示面板及其制備方法,能夠解決頂發射型OLED顯示面板因透光率的陰極電阻值較大,會出現明顯的壓降,導致出現負載過大,影響正常顯示品質的問題。
為了解決上述技術問題,本發明提供的技術方案如下:
本發明實施例提供一種OLED顯示面板,所述OLED顯示面板為底發射型顯示面板,其包括:
第一基板,所述第一基板上設置有第一驅動晶體管、以及連接所述第一驅動晶體管的發光器件;
第二基板,第二基板上設置有第二驅動晶體管;以及,
電性連接層,設置于所述第一基板與所述第二基板之間,所述第一驅動晶體管與所述第二驅動晶體管通過所述電性連接層電性連接;
其中,所述第二基板位于所述第一基板的上方,在所述OLED顯示面板的出光方向上,至少有所述第二驅動晶體管與所述發光器件垂直排布,且所述發光器件靠近所述OLED顯示面板的出光側設置。
根據本發明一優選實施例,所述第一驅動晶體管至少包括位于所述第一基板之上的金屬氧化物半導體層、位于所述金屬氧化物半導體層之上的第一柵極、以及位于所述第一柵極之上的第一源極;
其中,所述金屬氧化物半導體層包括第一透明導電區、第二透明導電區、以及位于所述第一透明導電區和所述第二透明導電區之間的第一溝道區;其中,所述第一源極通過第一源極過孔與所述第一透明導電區電性連接;所述第一源極還通過信號過孔與所述電性連接層電性連接。
根據本發明一優選實施例,所述發光器件包括所述第二透明導電區、位于所述第二透明導電區之上的發光材料層、以及位于所述發光材料層之上的陰極;
其中,所述陰極包括水平部和位于所述水平部兩側的彎折部,所述水平部與所述發光材料層對位設置,且所述彎折部和所述水平部形成有凹槽。
根據本發明一優選實施例,所述第二驅動晶體管至少包括位于第二基板之下的低溫多晶硅半導體層、位于所述低溫多晶硅半導體層之下的第二柵極、以及位于所述第二柵極之下的第二源極;所述第二源極通過第二源極過孔與所述低溫多晶硅半導體層的第二源極摻雜區電性連接;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





