[發明專利]一種星鉆裂紋釉、釉漿及其陶瓷

有效

• 申請號: 202210383241.3
• 申請日: 2022-04-13
• 公開（公告）號: CN114702242B
• 公開（公告）日: 2023-06-27
• 發明（設計）人: 余水林;馬碧儀;趙秀娟;曾青蓉
• 申請（專利權）人: 廣東道氏陶瓷材料有限公司;廣東道氏技術股份有限公司
• 主分類號: C03C8/14
• 分類號: C03C8/14;C03C8/20;C04B41/89
• 代理公司: 廣州市諾豐知識產權代理事務所(普通合伙) 44714
• 代理人: 許飛

1.一種星鉆裂紋陶瓷，其特征在于：包括坯體、星鉆裂紋釉層和拋釉層，在燒制的坯釉冷卻過程中，星鉆裂紋釉與拋釉間產生微裂紋，光線在微裂紋表面發生完全反射，形成星鉆效果；其中：

所述星鉆裂紋釉的化學質量組成為：SiO₂：65～80%、Al₂O₃：10～15%、K₂O：2～7%、Na₂O：3～10%、Fe₂O₃：0～0.5%、CaO：0～0.5%、MgO：0～1%、TiO₂：0～0.5%及不可避免的雜質，膨脹系數為354～367，完全熔融溫度不低于1220?℃；所述星鉆裂紋釉層的厚度為0.5～0.8mm；

所述坯體的膨脹系數為220～245；

所述拋釉層的膨脹系數為290～330，所述拋釉層的厚度為0.2～0.5mm，所述拋釉層的熔融溫度為1165～1180℃；

所述拋釉層的熔融溫度較所述星鉆裂紋釉的熔融溫度低至少50℃。

2.根據權利要求1所述的星鉆裂紋陶瓷，其特征在于：所述星鉆裂紋釉的原料按質量組成為：鈉長石8～18份，鉀長石45～60份，燒滑石1～5份，高嶺土3～7份，石英20～35份，低溫熔塊3～7份；

所述低溫熔塊的始熔溫度不超過950℃，膨脹系數為380～395。

3.根據權利要求1或2所述的星鉆裂紋陶瓷，其特征在于：所述星鉆裂紋釉配制為星鉆裂紋釉漿使用，所述星鉆裂紋釉漿由所述的星鉆裂紋釉、懸浮劑、解膠劑和水組成。

4.根據權利要求3所述的星鉆裂紋陶瓷，其特征在于：所述星鉆裂紋釉漿的顆粒的平均粒徑為35～70?μm；和/或

所述星鉆裂紋釉漿中，水的質量百分含量為30～50%，懸浮劑的質量百分含量為0.1～0.3%，解膠劑的質量百分含量為0.2～0.5%，余量為星鉆裂紋釉。

5.根據權利要求3所述的星鉆裂紋陶瓷，其特征在于：其比重為1.69～1.91，25℃時的粘度為50.72～71.18?cP。

6.根據權利要求4所述的星鉆裂紋陶瓷，其特征在于：其比重為1.69～1.91，25℃時的粘度為50.72～71.18?cP。

7.根據權利要求1所述的星鉆裂紋陶瓷，其特征在于：其制備方法包括：

坯體工藝：將所述的星鉆裂紋釉或星鉆裂紋釉漿混入或數碼定位布入通體或薄層布料中，壓制成型，施透明拋釉，燒成，全拋光、半拋光或不拋光。

8.根據權利要求1所述的星鉆裂紋陶瓷，其特征在于：其制備方法包括：

釉面工藝：直接在坯上或面釉上，通過噴釉或淋釉的生產方法定位或者整面布施所述的星鉆裂紋釉或星鉆裂紋釉漿，施拋釉，燒成，全拋光、半拋光或不拋光。

9.根據權利要求1所述的星鉆裂紋陶瓷，其特征在于：其制備方法包括：

全拋工藝：在坯體面釉上噴墨設計圖案，在上面通過噴釉或淋釉的生產方法定位或者整面布施所述的星鉆裂紋釉或星鉆裂紋釉漿，施全拋釉或干粒拋釉，燒成，全拋光。

10.根據權利要求7～9任一項所述的星鉆裂紋陶瓷，其特征在于：燒制溫度為1180～1235℃；和/或

燒制時間為40～70min。

11.根據權利要求1所述的星鉆裂紋陶瓷，其特征在于：所述拋釉選自全拋釉、普通透明拋釉或干粒釉中的至少一種。