[發(fā)明專利]一種星鉆裂紋釉、釉漿及其陶瓷

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202210383241.3
• 申請日: 2022-04-13
• 公開（公告）號: CN114702242B
• 公開（公告）日: 2023-06-27
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 余水林;馬碧儀;趙秀娟;曾青蓉
• 申請（專利權(quán)）人: 廣東道氏陶瓷材料有限公司;廣東道氏技術(shù)股份有限公司
• 主分類號: C03C8/14
• 分類號: C03C8/14;C03C8/20;C04B41/89
• 代理公司: 廣州市諾豐知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44714
• 代理人: 許飛

1.一種星鉆裂紋陶瓷，其特征在于：包括坯體、星鉆裂紋釉層和拋釉層，在燒制的坯釉冷卻過程中，星鉆裂紋釉與拋釉間產(chǎn)生微裂紋，光線在微裂紋表面發(fā)生完全反射，形成星鉆效果；其中：

所述星鉆裂紋釉的化學(xué)質(zhì)量組成為：SiO₂：65～80%、Al₂O₃：10～15%、K₂O：2～7%、Na₂O：3～10%、Fe₂O₃：0～0.5%、CaO：0～0.5%、MgO：0～1%、TiO₂：0～0.5%及不可避免的雜質(zhì)，膨脹系數(shù)為354～367，完全熔融溫度不低于1220?℃；所述星鉆裂紋釉層的厚度為0.5～0.8mm；

所述坯體的膨脹系數(shù)為220～245；

所述拋釉層的膨脹系數(shù)為290～330，所述拋釉層的厚度為0.2～0.5mm，所述拋釉層的熔融溫度為1165～1180℃；

所述拋釉層的熔融溫度較所述星鉆裂紋釉的熔融溫度低至少50℃。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的星鉆裂紋陶瓷，其特征在于：所述星鉆裂紋釉的原料按質(zhì)量組成為：鈉長石8～18份，鉀長石45～60份，燒滑石1～5份，高嶺土3～7份，石英20～35份，低溫熔塊3～7份；

所述低溫熔塊的始熔溫度不超過950℃，膨脹系數(shù)為380～395。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的星鉆裂紋陶瓷，其特征在于：所述星鉆裂紋釉配制為星鉆裂紋釉漿使用，所述星鉆裂紋釉漿由所述的星鉆裂紋釉、懸浮劑、解膠劑和水組成。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的星鉆裂紋陶瓷，其特征在于：所述星鉆裂紋釉漿的顆粒的平均粒徑為35～70?μm；和/或

所述星鉆裂紋釉漿中，水的質(zhì)量百分含量為30～50%，懸浮劑的質(zhì)量百分含量為0.1～0.3%，解膠劑的質(zhì)量百分含量為0.2～0.5%，余量為星鉆裂紋釉。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的星鉆裂紋陶瓷，其特征在于：其比重為1.69～1.91，25℃時的粘度為50.72～71.18?cP。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的星鉆裂紋陶瓷，其特征在于：其比重為1.69～1.91，25℃時的粘度為50.72～71.18?cP。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的星鉆裂紋陶瓷，其特征在于：其制備方法包括：

坯體工藝：將所述的星鉆裂紋釉或星鉆裂紋釉漿混入或數(shù)碼定位布入通體或薄層布料中，壓制成型，施透明拋釉，燒成，全拋光、半拋光或不拋光。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的星鉆裂紋陶瓷，其特征在于：其制備方法包括：

釉面工藝：直接在坯上或面釉上，通過噴釉或淋釉的生產(chǎn)方法定位或者整面布施所述的星鉆裂紋釉或星鉆裂紋釉漿，施拋釉，燒成，全拋光、半拋光或不拋光。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的星鉆裂紋陶瓷，其特征在于：其制備方法包括：

全拋工藝：在坯體面釉上噴墨設(shè)計圖案，在上面通過噴釉或淋釉的生產(chǎn)方法定位或者整面布施所述的星鉆裂紋釉或星鉆裂紋釉漿，施全拋釉或干粒拋釉，燒成，全拋光。

10.根據(jù)權(quán)利要求7～9任一項所述的星鉆裂紋陶瓷，其特征在于：燒制溫度為1180～1235℃；和/或

燒制時間為40～70min。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的星鉆裂紋陶瓷，其特征在于：所述拋釉選自全拋釉、普通透明拋釉或干粒釉中的至少一種。