[發明專利]半導體工藝設備及其承載裝置

有效

• 申請號: 202210381543.7
• 申請日: 2022-04-12
• 公開（公告）號: CN114520182B
• 公開（公告）日: 2023-03-24
• 發明（設計）人: 田西強;葉華;陳智勇;王沖;朱磊;劉國杰
• 申請（專利權）人: 北京北方華創微電子裝備有限公司
• 主分類號: H01L21/687
• 分類號: H01L21/687;H01L21/67
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 彭瑞欣;王婷

1.一種用于半導體工藝設備的承載裝置，設置于所述半導體工藝設備的工藝腔室內，其特征在于，包括：基座、承載件以及限位環結構；其中，

所述基座的頂面用于承載晶圓；所述限位環結構套設于所述基座的外周，用于限定所述晶圓的位置，并且所述限位環結構的內周壁與所述基座的外周壁之間形成有吹氣流道及第一勻流空間，所述第一勻流空間與所述吹氣流道連通；所述承載件與所述基座相互疊置且位于所述基座的下方，并且所述承載件與所述基座之間設置有氣流道結構；所述基座中設置有連接流道，所述氣流道結構通過所述連接流道與所述第一勻流空間連通；

所述氣流道結構用于將吹掃氣體通過所述連接流道輸送至所述第一勻流空間；所述第一勻流空間用于對流經的所述吹掃氣體進行勻流；所述吹氣流道用于將勻流后的所述吹掃氣體吹出，以對所述晶圓的底面及側面進行吹掃。

2.如權利要求1所述的承載裝置，其特征在于，所述氣流道結構包括導流道結構和第二勻流空間，其中，所述導流道結構與所述第二勻流空間連通，所述第二勻流空間通過所述連接流道與所述第一勻流空間連通；

所述導流道結構用于將所述吹掃氣體輸送至所述第二勻流空間；所述第二勻流空間用于對流經的所述吹掃氣體進行勻流。

3.如權利要求2所述的承載裝置，其特征在于，所述第二勻流空間的體積大于所述第一勻流空間的體積；和/或，所述連接流道的通氣截面小于所述第一勻流空間及所述第二勻流空間的通氣截面。

4.如權利要求2述的承載裝置，其特征在于，所述連接流道包括多個貫穿所述基座的限流孔，且多個所述限流孔沿所述基座的周向均勻排布，每個所述限流孔的兩端分別與所述第一勻流空間和所述第二勻流空間連通。

5.如權利要求4所述的承載裝置，其特征在于，每個所述限流孔包括沿豎直方向依次設置的第一直通孔和第二直通孔，所述第一直通孔位于所述第二直通孔的上方，且所述第一直通孔的直徑小于所述第二直通孔的直徑。

6.如權利要求2所述的承載裝置，其特征在于，所述導流道結構包括至少一個導流道和至少一個貫穿所述承載件的通氣孔，其中，每個所述通氣孔與至少一個所述導流道的進氣端連通，所述通氣孔用于與吹掃氣體源連通；所述導流道的出氣端沿所述第二勻流空間的周向間隔且均勻設置，且均與所述第二勻流空間連通。

7.如權利要求6所述的承載裝置，其特征在于，所述承載件朝向所述基座的一面和所述基座朝向所述承載件的一面中的一者開設有環形凹槽和多個直線凹槽，所述承載件朝向所述基座的一面和所述基座朝向所述承載件的一面中的另一者與所述環形凹槽配合構成所述第二勻流空間，且與每個所述直線凹槽配合以構成所述導流道；或者，

所述承載件朝向所述基座的一面和所述基座朝向所述承載件的一面上均開設有環形凹槽和多個直線凹槽，所述承載件與所述基座上的所述環形凹槽對應配合構成所述第二勻流空間，所述承載件與所述基座上的多個所述直線凹槽對應配合以構成所述導流道。

8.如權利要求6所述的承載裝置，其特征在于，所述承載裝置還包括支撐軸，所述支撐軸位于所述承載件的下方并用于支撐所述承載件；所述支撐軸面向所述承載件的一面設置有第一勻流流道結構，所述第一勻流流道結構與各所述通氣孔的進氣端對應連通，且所述第一勻流流道結構與吹掃氣體源連通。

9.如權利要求8所述的承載裝置，其特征在于，所述第一勻流流道結構包括至少一個第一圓弧流道，且所述第一圓弧流道沿所述支撐軸的周向延伸；每個所述第一圓弧流道均與其中兩個所述通氣孔對應設置，兩個所述通氣孔的進氣端分別與所述第一圓弧流道的兩端連通；所述第一圓弧流道在中點位置處設置有與所述吹掃氣體源連通的進氣口。