[發明專利]透明顯示面板及透明顯示裝置在審
| 申請號: | 202210378404.9 | 申請日: | 2022-04-12 |
| 公開(公告)號: | CN114823824A | 公開(公告)日: | 2022-07-29 |
| 發明(設計)人: | 劉生澤;黃燦;羅志猛;張春鵬;鮮于文旭 | 申請(專利權)人: | 武漢華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570 | 代理人: | 孟霞 |
| 地址: | 430079 湖北省武漢市東湖新技術*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 透明 顯示 面板 顯示裝置 | ||
1.一種透明顯示面板,其特征在于,包括:
面板主體,包括第一襯底和設置于所述第一襯底上的多個像素單元,每一所述像素單元包括發光區和透光區,所述發光區設置有電連接的第一薄膜晶體管和發光器件,所述發光器件設置于所述第一薄膜晶體管遠離所述第一襯底的一側;以及
光電傳感結構,設置于所述面板主體背離所述第一襯底的一側,所述光電傳感結構包括第二襯底和設置于所述第二襯底靠近所述第一襯底一側的電連接的第二薄膜晶體管和光電傳感器件,所述光電傳感器件設置于所述第二薄膜晶體管遠離所述第二襯底的一側,所述光電傳感器與所述透光區對應設置。
2.根據權利要求1所述的透明顯示面板,其特征在于,所述面板主體在透光區形成有挖孔,所述挖孔貫穿所述面板主體,所述光電傳感器與所述挖孔對應設置。
3.根據權利要求1或2所述的透明顯示面板,其特征在于,所述第二薄膜晶體管包括:
半導體層,設置于所述第二襯底靠近所述第一襯底的一側;
第一柵極絕緣層,覆于所述半導體層遠離所述第二襯底的一側;
第一柵極,設置于所述第一柵極絕緣層遠離所述第二襯底的一側;
第二柵極絕緣層,覆于所述第一柵極遠離所述第二襯底的一側;
第二柵極,設置于所述第二柵極絕緣層遠離所述第二襯底的一側;
層間介質層,覆于所述第二柵極遠離所述第二襯底的一側;以及
源漏極金屬層,設置于所述層間介質層遠離所述第二襯底的一側;
其中,所述光電傳感器件包括第一電極層、活性層和第二電極層,所述第二電極層與所述源漏極金屬層同層設置,所述第二電極層的第一極和第二極的一者與所述源漏極金屬層電連接。
4.根據權利要求3所述的透明顯示面板,其特征在于,所述活性層的材料為具有感光特性的高透過率半導體材料;所述第一電極層為透明電極。
5.根據權利要求4所述的透明顯示面板,其特征在于,
所述第一電極層與所述第一柵極或所述第二柵極同層設置;
所述活性層設置于所述第二柵極絕緣層遠離所述第二襯底的一側;
所述第二電極層設置于所述活性層遠離所述第二襯底的一側;
其中,所述光電傳感結構還包括:
第一保護層,設置于所述第一極和所述第二極之間的間隙中;以及
第二保護層,覆于所述活性層和所述第一保護層遠離所述第二襯底的一側。
6.根據權利要求4所述的透明顯示面板,其特征在于,
所述第一電極層與所述第一柵極或所述第二柵極同層設置;
所述第二電極層設置于所述第二柵極絕緣層遠離所述第二襯底的一側;
所述活性層設置于所述第一極和所述第二極之間的間隙中;
其中,所述光電傳感結構還包括:
第二保護層,覆于所述第二電極層和所述活性層遠離所述第二襯底的一側。
7.根據權利要求4所述的透明顯示面板,其特征在于,
所述活性層設置于所述第二柵極絕緣層遠離所述第二襯底的一側;
所述第二電極層設置于所述活性層遠離所述第二襯底的一側;
其中,所述光電傳感結構還包括:
第一保護層,設置于所述第一極和所述第二極之間的間隙內;以及
第二保護層,覆于所述第二電極層和所述第一保護層遠離所述第二襯底的一側;
其中,所述第一電極層設置于所述第二保護層遠離所述第二襯底的一側。
8.根據權利要求4所述的透明顯示面板,其特征在于,
所述第二電極層設置于所述第二柵極絕緣層遠離所述第二襯底的一側;
所述活性層設置于所述第一極和所述第二極之間的間隙內;
其中,所述光電傳感結構還包括:
第二保護層,覆于所述第二電極層和所述活性層遠離所述第二襯底的一側;
其中,所述第一電極層設置于所述第二保護層遠離所述第二襯底的一側。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





