[發(fā)明專利]一種硅片刻蝕方法及硅片刻蝕系統(tǒng)

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• 申請日: 2022-04-11
• 公開（公告）號: CN114724942A
• 公開（公告）日: 2022-07-08
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 袁隕來;吳帥;張鵬程;王建波;呂俊
• 申請（專利權(quán)）人: 西安隆基樂葉光伏科技有限公司
• 主分類號: H01L21/306
• 分類號: H01L21/306;H01L21/67;H01L31/18
• 代理公司: 北京志霖恒遠(yuǎn)知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11435
• 代理人: 王亞萍

1.一種硅片刻蝕方法，其特征在于，包括：

對具有擴散表面的硅片依次進行第一酸洗、第二酸洗、堿洗和后處理得到刻蝕后硅片，其中所述具有擴散表面的硅片為所述硅片經(jīng)過了硼擴散工藝處理；

所述第一酸洗采用第一酸洗液，用于去除所述硅片背面及側(cè)面的硼硅玻璃層，所述第一酸洗液包括體積比為(3～8):(1～5)的氫氟酸和水，所述第一酸洗的溫度為25～35℃。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅片刻蝕方法，其特征在于，

所述第二酸洗采用第二酸洗液，用于去除所述硅片背面及側(cè)面的擴散層；

所述第二酸洗液包括體積比為(1～3):(3～8):(1～3):(1～3)的氫氟酸、硝酸、硫酸和水。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅片刻蝕方法，其特征在于，

所述堿洗采用堿液，用于中和硅片表面殘留的酸以及去除硅片表面的多孔硅；

所述堿液包括濃度為0.1～0.3wt％的氫氧化鈉或氫氧化鉀溶液。

4.權(quán)利要求1所述的硅片刻蝕方法，其特征在于，

所述第二酸洗與堿洗之間包括第一水洗。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅片刻蝕方法，其特征在于，所述后處理包括對堿洗后的硅片依次進行第三酸洗和第四酸洗；

所述第三酸洗采用第三酸洗液，用于中和所述硅片表面殘留的堿，所述第三酸洗液包括濃度為1.0～5.0wt％的鹽酸溶液；

所述第四酸洗采用第四酸洗液，用于去除硅片背面的氧化薄層，所述第四酸洗液包括體積比為(2～5):(0～3):(5～7)的氫氟酸、鹽酸和水；

其中所述第三酸洗采用浸沒酸洗方式，所述第四酸洗采用在線式水上漂酸洗方式。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的硅片刻蝕方法，其特征在于，

所述堿洗與第三酸洗之間包括第二水洗；

和/或，所述第三酸洗與第四酸洗之間包括第三水洗；

和/或，所述第四酸洗之后包括第四水洗。

7.根據(jù)權(quán)利要求1～6任一項所述的硅片刻蝕方法，其特征在于，對具有擴散表面的硅片進行第一酸洗之前，還包括：

在所述硅片的正面形成防刻蝕保護膜的步驟；

可選的，所述防刻蝕保護膜是通過向所述硅片的正面噴淋溫度為50～70℃的水所形成。

8.根據(jù)權(quán)利要求1～7任一項所述的硅片刻蝕方法，其特征在于，對所述硅片進行后處理之后，還包括：

采用烘干或甩干的方式對所述硅片表面進行干燥。

9.根據(jù)權(quán)利要求1～8任一項所述的硅片刻蝕方法，其特征在于，所述刻蝕后硅片應(yīng)用于TOPCon電池中。

10.一種硅片刻蝕系統(tǒng)，其特征在于，包括按硅片經(jīng)過的先后順序依次設(shè)置的第一酸洗槽、第二酸洗槽、第一水洗槽、堿洗槽、第二水洗槽、第三酸洗槽、第三水洗槽、第四酸洗槽以及第四水洗槽；

所述第一酸洗槽內(nèi)置有包括體積比為(3～8):(1～5)的氫氟酸和水的第一酸洗液；

所述第二酸洗槽內(nèi)置有包括體積比為(1～3):(3～8):(1～3):(1～3)的氫氟酸、硝酸、硫酸和水的第二酸洗液；

所述第四酸洗槽內(nèi)置有包括體積比為(2～5):(0～3):(5～7)的氫氟酸、鹽酸和水的第四酸洗液；

其中所述第一酸洗槽、第二酸洗槽和第四酸洗槽內(nèi)分別設(shè)有用于支撐硅片的下滾輪，各槽的溶液的液面位于下滾輪的上切面的三分之一至五分之一處，且所述第一酸洗槽內(nèi)設(shè)置有加熱裝置；

所述堿洗槽內(nèi)置有包括濃度為0.1～0.3wt％的氫氧化鈉或氫氧化鉀溶液的堿液；

所述第三酸洗槽內(nèi)置有包括濃度為1.0～5.0wt％的鹽酸溶液的第三酸洗液；

其中所述堿洗槽和所述第三酸洗槽內(nèi)分別設(shè)置有下滾輪以及與下滾輪對應(yīng)分布的上滾輪，所述上滾輪和下滾輪之間形成硅片傳輸通道，各槽的溶液的液面以使所述硅片能浸入所述堿液或所述第三酸洗液為準(zhǔn)；

所述第一水洗槽、第二水洗槽、第三水洗槽以及第四水洗槽均內(nèi)置有純水，至少所述第一水洗槽和第二水洗槽內(nèi)分別設(shè)置有上水刀、下水刀和傳輸機構(gòu)，所述傳輸機構(gòu)用于承載所述硅片于所述上水刀和下水刀之間，并輸送所述硅片，所述上水刀和下水刀用于向所述硅片噴射純水；

可選的，所述硅片刻蝕系統(tǒng)還包括：

設(shè)置在所述第四水洗槽之后的用于對所述硅片表面進行干燥的干燥槽；

可選的，所述硅片刻蝕系統(tǒng)還包括：

設(shè)置在所述第一酸洗槽之前的水噴淋槽，所述水噴淋槽設(shè)置有用于向所述硅片的正面噴淋溫度為50～70℃水的水噴淋裝置。