[發明專利]半導體裝置以及顯示裝置

在審

• 申請號: 202210374383.3
• 申請日: 2022-04-11
• 公開（公告）號: CN114823771A
• 公開（公告）日: 2022-07-29
• 發明（設計）人: 謝嘉定;黃建富;葉政男;李錫烈;藍詠翔;李俊雨;蘇松宇;王賢軍;王雅榕;林欣瑩;林雨潔;吳仰恩
• 申請（專利權）人: 友達光電股份有限公司
• 主分類號: H01L27/15
• 分類號: H01L27/15;H01L33/14;G09F9/33;G09G3/32
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 黃艷

1.一種半導體裝置，包含：

一緩沖層；

一第一子芯片及一第二子芯片，分開設置于該緩沖層上，該第一子芯片及該第二子芯片中的每一者皆包含：

一第一擴散層；

一主動層；以及

一第二擴散層；

其中，該第一擴散層、該主動層及該第二擴散層由上而下按序設置于該緩沖層上，該第一擴散層及該緩沖層為一第一類型外延層，該第二擴散層為一第二類型外延層；以及

一連接件，用以將該第一子芯片的該第二擴散層電性耦接至該第二子芯片的該第一擴散層。

2.如權利要求1所述的半導體裝置，還包含：

一第一電極，設置于該第一子芯片的該第一擴散層上且用以接收一第一參考電壓；以及

一第二電極，用以將該第二子芯片的該第二擴散層與該緩沖層耦接，并接收一第二參考電壓；

3.如權利要求2所述的半導體裝置，其中：

該第二電極延伸設置至該第二子芯片的該第一擴散層上，而與設置于該第一子芯片上的該第一電極具有實質上相同的高度。

4.如權利要求2所述的半導體裝置，其中：

該第一類型外延層為P型外延層，該第二類型外延層為N型外延層，該第一參考電壓大于該第二參考電壓；或者

該第一類型外延層為N型外延層，該第二類型外延層為P型外延層，該第二參考電壓大于該第一參考電壓。

5.如權利要求1所述的半導體裝置，其中：

該第一子芯片及該第二子芯片之間的間隔大于或等于約1微米，且該第一子芯片及該第二子芯片中每一者的長度皆小于或等于約100微米。

6.一種顯示裝置，包含：

多個像素，該些像素中每一者包含多組子像素，該多組子像素中的一第一組子像素包含：

至少兩個第一發光元件，該至少兩個第一發光元件彼此串聯耦接；

一第一參考電壓端，用以提供一第一參考電壓至該些像素；

一第二參考電壓端，用以提供一第二參考電壓至該些像素；以及

一第三參考電壓端，用以提供一第三參考電壓至該些像素；

其中，該第一參考電壓、該第二參考電壓及該第三參考電壓三者彼此不同；

其中，該第一組子像素中彼此串聯耦接的該些第一發光元件耦接于該第一參考電壓端及該第二參考電壓端之間，該多組子像素中的一第二組子像素耦接該第三參考電壓端。

7.如權利要求6所述的顯示裝置，其中：

該第一參考電壓及該第三參考電壓皆大于該第二參考電壓；或者

該第二參考電壓及該第三參考電壓皆小于該第一參考電壓。

8.如權利要求6所述的顯示裝置，其中：

當該些發光元件操作于一發光期間時，該些發光元件的電流密度大于500毫安培/厘米²。

9.如權利要求6所述的顯示裝置，還包含：

一第四參考電壓端，用以提供一第四參考電壓至該些像素，該第四參考電壓不同于該第一參考電壓、該第二參考電壓及該第三參考電壓；

其中，該多組子像素中的一第三組子像素包含：

兩個第二發光元件，該些第二發光元件彼此串聯耦接；

其中，該第三組子像素耦接該第四參考電壓端。

10.如權利要求6所述的顯示裝置，其中：

彼此串聯耦接的該些第一發光元件包含：

一緩沖層；

一第一子芯片及一第二子芯片，分開設置于該緩沖層上，該第一子芯片及該第二子芯片中的每一者皆包含：

一第一擴散層；

一主動層；以及

一第二擴散層；

其中，該第一擴散層、該主動層及該第二擴散層由上而下按序設置于該緩沖層上，該第一擴散層及該緩沖層為一第一類型外延層，該第二擴散層為一第二類型外延層；以及

一連接件，用以將該第一子芯片的該第二擴散層電性耦接至該第二子芯片的該第一擴散層。