[發明專利]一種可選擇性晶圓定向凸點制備方法在審
| 申請號: | 202210368568.3 | 申請日: | 2022-04-06 |
| 公開(公告)號: | CN114724966A | 公開(公告)日: | 2022-07-08 |
| 發明(設計)人: | 徐士猛;王勇;林鵬榮;謝曉辰;姜學明;謝爽 | 申請(專利權)人: | 北京時代民芯科技有限公司;北京微電子技術研究所 |
| 主分類號: | H01L21/60 | 分類號: | H01L21/60 |
| 代理公司: | 中國航天科技專利中心 11009 | 代理人: | 賈文婷 |
| 地址: | 100076 北*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 選擇性 定向 制備 方法 | ||
1.一種可選擇性晶圓定向凸點制備方法,其特征在于:包括以下步驟,
(1)在晶圓(1)表面制備鈍化層(2),焊盤表面制備金屬化層(3),在金屬化層(3)表面涂覆助焊劑,金屬化層(3)位置為植球區;
(2)制作雙層網板;
(2.1)在對應植球區位置為全部開有第一漏孔的上層基體(4)涂覆助焊劑;制作指定植球區開有第二漏孔的下層基體(5);
(2.2)將下層基體(5)與上層基體(4)連接,得到雙層網板;
(3)將雙層網板的樹脂薄膜置于晶圓(1)的金屬化層(3)表面,將焊球(6)置于雙層網板表面,焊球(6)從第一漏孔和第二漏孔落到金屬化層(3)位置,完成焊球(6)漏置,得到落球后的晶圓(1);
(4)對落球后的晶圓(1)進行回流,焊球(6)焊接于晶圓(1)上形成凸點,完成焊球(6)與晶圓(1)的焊接;
(5)重復步驟(2)-(4),完成不同指定植球區的晶圓(1)與焊球(6)的焊接。
2.根據權利要求1所述的一種可選擇性晶圓定向凸點制備方法,其特征在于:所述不同指定植球區對應的焊球(6)成分不同、或者直徑不同;對于焊球(6)成分不同的焊球(6),熔點從高到低依次完成對應凸點的制備。
3.根據權利要求1所述的一種可選擇性晶圓定向凸點制備方法,其特征在于:所述金屬化層(3)形狀為圓形、六邊形或八邊形階梯凹槽,階梯凹槽與焊球(6)尺寸相適配;金屬化層(3)為多層金屬結構,從下至上以此為Ti、Cu、Ni或Ti、Cu、Ni、Au或Ti、Cu、Ni、Cu。
4.根據權利要求1所述的一種可選擇性晶圓定向凸點制備方法,其特征在于:所述上層基體(4)為金屬鋼片,下層基體(5)為樹脂薄膜。
5.根據權利要求1所述的一種可選擇性晶圓定向凸點制備方法,其特征在于:所述下層基體(5)與上層基體(4)之間通過UV鍵合膜連接;UV鍵合膜正對晶圓(1)全部植球區的中心圓形區開孔,開孔直徑為晶圓(1)直徑。
6.根據權利要求1所述的一種可選擇性晶圓定向凸點制備方法,其特征在于:所述上層基體(4)厚度為焊球直徑的30%-35%。
7.根據權利要求1所述的一種可選擇性晶圓定向凸點制備方法,其特征在于:沿著所述上層基體(4)到下層基體(5)的方向,第一漏孔的直降逐漸變大;焊球直徑超過100μm,第一漏孔遠離下層基體(5)的端部開孔直徑為焊球直徑120%-130%,當焊球直徑小于100μm,第一漏孔遠離下層基體(5)的端部開孔為焊球直徑的110%-120%。
8.根據權利要求1所述的一種可選擇性晶圓定向凸點制備方法,其特征在于:所述樹脂薄膜材料為PLA聚乳酸或ABS塑料或SLA光敏聚合物;樹脂薄膜厚度為焊球直徑的45%-50%;采用3D打印技術完成指定植球區開第二漏孔的樹脂薄膜的制作。
9.根據權利要求1所述的一種可選擇性晶圓定向凸點制備方法,其特征在于:所述焊球(6)漏置后采用真空吸嘴(7)對下層基體(5)未開孔區域的殘留焊球(6)完成吸附回收。
10.根據權利要求5所述的一種可選擇性晶圓定向凸點制備方法,其特征在于:所述步驟(5)之前,采用紫外燈照射雙層網板,完成樹脂薄膜與金屬鋼片解鍵合。
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H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





