[發明專利]一種半導體部件超高壓物理去膜方法

在審

• 申請號: 202210365873.7
• 申請日: 2022-04-08
• 公開（公告）號: CN114749407A
• 公開（公告）日: 2022-07-15
• 發明（設計）人: 周伯成;賀賢漢;周毅
• 申請（專利權）人: 安徽富樂德科技發展股份有限公司
• 主分類號: B08B3/02
• 分類號: B08B3/02;B08B3/08;B08B3/12;B08B3/14;B08B13/00
• 代理公司: 銅陵市天成專利事務所(普通合伙) 34105
• 代理人: 李坤

1.一種半導體部件超高壓物理去膜方法，其特征是：

步驟一、采用機床加工的方式，去除部件表面的一定厚度的膜層，同時將部件表面銅鋁界面暴露出來；

步驟二、將部件固定在轉臺上，通過機械手帶動高壓水槍，用高壓水柱沿銅鋁界面將鋁基材表面的銅膜分離去除；

步驟三、將部件放入化學清洗槽中，用化學清洗的方式去除表面殘留的銅膜；

步驟四、將化學清洗后的部件純水沖洗；

步驟五、把部件放入超音波槽中超聲清洗去除表面殘留的顆粒附著物；

步驟六、烘箱干燥去除部件表面水分。

2.根據權利要求1所述的一種半導體部件超高壓物理去膜方法，其特征是：步驟一中，膜厚為3-5mm。

3.根據權利要求1所述的一種半導體部件超高壓物理去膜方法，其特征是：步驟一中，采用高壓水柱剝離部件表面附著的CU膜，水槍壓力在16000-26000psi。

4.根據權利要求1所述的一種半導體部件超高壓物理去膜方法，其特征是：步驟五中，將步驟一中經過噴砂處理之后的部件采用超聲波清洗工藝進行處理，超聲波頻率35-40KHz。

5.根據權利要求1所述的一種半導體部件超高壓物理去膜方法，其特征是：所述步驟四中，清洗后的廢水進入處理裝置，所述的處理裝置包括調節池、化學反應池一、化學反應池二和沉淀池，處理步驟如下：

步驟S1，處理液廢水進入調節池，廢水在調節池中停留8h，充分調節廢水的水質，控制進入化學反應池I中的廢水pH值調為4，并保持水量的平衡；

步驟S2，調節池的廢水進入化學反應池一，投加CaO試劑，其濃度為23g/L，攪拌后投加PAC試劑，其濃度為2.2g/L，反應5-10min后，投加PAM試劑，其濃度為1.7g/L，攪拌并將廢水加熱至50℃，反應30-35min；

步驟S3，化學反應池一中的廢水進入化學反應池二，加熱至沸騰后，投加(NH₄)₂SO₄，其濃度為3.84g/L，再將溫度降至25℃，以速度為40 r/min攪拌6h；

步驟S4，化學反應池二中的廢水進入沉淀池，最后將處理水排出。