[發明專利]超薄芯片及其平整化方法和應用在審
| 申請號： | 202210362697.1 | 申請日： | 2022-04-07 |
| 公開（公告）號： | CN114823285A | 公開（公告）日： | 2022-07-29 |
| 發明（設計）人： | 陳穎;王添博;汪照賢;王禾翎 | 申請（專利權）人： | 浙江清華柔性電子技術研究院;錢塘科技創新中心 |
| 主分類號： | H01L21/02 | 分類號： | H01L21/02;H01L21/48 |
| 代理公司： | 杭州華進聯浙知識產權代理有限公司 33250 | 代理人： | 李麗華 |
| 地址： | 314051 浙江省嘉興*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 超薄 芯片 及其 平整 方法 應用 | ||
1.一種超薄芯片的平整化方法，其特征在于，包括以下步驟：
提供芯片，所述芯片包括層疊設置的硅襯底以及功能層，所述芯片的邊緣朝所述功能層的方向翹曲；
對所述芯片進行預壓縮，使所述芯片的邊緣朝所述硅襯底的方向翹曲；以及
在所述硅襯底遠離所述功能層的表面形成厚度小于或等于5μm的薄膜，得到平整化的超薄芯片。
2.根據權利要求1所述的超薄芯片的平整化方法，其特征在于，所述芯片的邊緣朝所述功能層的方向翹曲時，翹曲度為α，α的取值范圍為10μm-1000μm。
3.根據權利要求2所述的超薄芯片的平整化方法，其特征在于，所述芯片的邊緣朝所述硅襯底的方向翹曲時，翹曲度為β，β的取值范圍為10μm-1000μm。
4.根據權利要求3所述的超薄芯片的平整化方法，其特征在于，α與β的差的絕對值小于或等于100μm。
5.根據權利要求3所述的超薄芯片的平整化方法，其特征在于，對所述芯片進行預壓縮的步驟包括：在所述功能層遠離所述硅襯底的表面形成保護膜，然后用夾具固定所述帶有保護膜的芯片，在所述硅襯底遠離所述保護膜的表面施加壓力進行預壓縮。
6.根據權利要求1-5任一項所述的超薄芯片的平整化方法，其特征在于，所述薄膜的材料選自金屬、SiN、SiO2或高分子材料中的至少一種。
7.根據權利要求6所述的超薄芯片的平整化方法，其特征在于，所述高分子材料選自晶片黏結薄膜、聚酰亞胺或聚對二甲苯中的至少一種。
8.根據權利要求1-5任一項所述的超薄芯片的平整化方法，其特征在于，所述芯片的厚度小于或等于50μm。
9.一種超薄芯片，其特征在于，由芯片經如權利要求1-8任一項所述的平整化方法平整后得到。
10.一種柔性電子，其特征在于，包括如權利要求9所述的超薄芯片。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
