[發明專利]一種晶圓用化學鍍鎳液及其制備方法

在審

• 申請號: 202210359117.3
• 申請日: 2022-04-07
• 公開（公告）號: CN114807916A
• 公開（公告）日: 2022-07-29
• 發明（設計）人: 洪學平;姚玉
• 申請（專利權）人: 江蘇矽智半導體科技有限公司
• 主分類號: C23C18/36
• 分類號: C23C18/36
• 代理公司: 北京廣溢知識產權代理有限公司 16001
• 代理人: 李枝玲

本發明公開了一種晶圓用化學鍍鎳液及其制備方法，涉及化學鍍鎳技術領域。本發明制備的晶圓用化學鍍鎳液，主要是由硫酸鎳、次磷酸鈉、4?戊基鄰苯二甲腈、4?(2?甲酸基?3?丙酸基)鄰苯二甲腈、8,9?二氨基苯并噻唑、水等混合得到；在后續對預處理的晶圓進行化學鍍的過程中，形成雙親性酞菁和咪唑；本發明制備的晶圓用化學鍍鎳液要在光照條件下給預處理的晶圓鍍鎳；其中，預處理的晶圓是將晶圓進行脫脂、除塵、表面噴砂、酸洗、超聲清洗處理得到。本發明制備得到晶圓用化學鍍鎳液的穩定性較強，且晶圓用化學鍍鎳液制備的鍍鎳晶圓的鍍層耐腐蝕性、鍍層結合力、光亮性較強。

技術領域

本發明涉及化學鍍鎳技術領域，具體為一種晶圓用化學鍍鎳液及其制備方法。

背景技術

晶圓是指硅半導體集成電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓；在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結構，而成為有特定電性功能之IC產品。IC產品是現代信息社會離不開的基本原器件，廣泛應用在我們生活的各個方面。

在晶圓的封裝中再布線和硅通孔技術是非常重要的兩個環節，由于集成度的不斷發展和提高，芯片疊加不斷增加線路的密度也越來越大，線寬線距越來越小。人們使用化學鍍鎳制程完成再布線制程或硅通孔的部分制程，與此同時，很多技術弊端也在成品制作過程中出現，比如晶圓表面與鍍層的結合力差、不耐腐蝕等等，大大限制了晶圓大規模的封裝，成為了化學鍍鎳領域亟待解決的技術問題。

本發明關注到了這一現狀，通過制備晶圓用化學鍍鎳液來解決這一難題。

發明內容

本發明的目的在于提供一種晶圓用化學鍍鎳液及其制備方法，以解決現有技術中存在的問題。

為了解決上述技術問題，本發明提供如下技術方案：

一種晶圓用化學鍍鎳液的制備方法，所述晶圓用化學鍍鎳液的制備方法如下：在84～86℃下，將硫酸鎳、次磷酸鈉、4-戊基鄰苯二甲腈、4-(2-甲酸基-3-丙酸基)鄰苯二甲腈、8,9-二氨基苯并噻唑、催化劑1,8-二氮雜二環[5.4.0]十一碳-7-烯和水按質量比1：0.5：2.8：1.3：1.5：0.015：800～1：0.6：2.9：1.4：1.6：0.016：1200混合，以200～300r/min攪拌30～40min，以60～80滴/min滴加質量分數為20～30％的氫氧化鈉溶液，調節pH至5～5.4，繼續攪拌攪拌30～40min，制備得到晶圓用化學鍍鎳液。

優選的，所述4-戊基鄰苯二甲腈的制備方法如下：在0～5℃下，將4-戊基鄰苯二甲酰胺和二甲基甲酰胺混合液按質量比1：10.5～1：11.5混合，以1200～1300r/min攪拌4～6h，隨后在常溫下靜置11～12h，用-4～0℃的去離子水洗滌2～3次，抽濾，用去離子水洗滌1～3次，在10～20Pa、20～30℃下烘2～3h，制備得到4-戊基鄰苯二甲腈，進一步的，所述二甲基甲酰胺混合液的制備方法如下：在-4～0℃下，將二氯亞砜、二甲基甲酰胺按質量比1：0.75～1：0.8混合，以1200～1300r/min攪拌1.5～2.5h，制備得到二甲基甲酰胺混合液。

優選的，所述4-戊基鄰苯二甲酰胺的制備方法如下：在24～26℃、氬氣保護條件下，將4-戊基鄰苯二甲酰亞胺和質量分數為26～28％的氨水按質量比1：23～1：24混合，以1200～1300r/min攪拌47～49h，過濾，用去離子水洗滌1～3次，在10～20Pa、20～30℃下烘2～3h，制備得到4-戊基鄰苯二甲酰胺，進一步的，所述4-戊基鄰苯二甲酰亞胺的制備方法如下：在135～140℃、氬氣保護條件下，將4-戊基鄰苯二甲酸酐、甲酰胺按質量比1：1.5～1：1.55混合，以1200～1300r/min攪拌回流3～4h后，自然冷卻至室溫，抽濾，用去離子水洗滌1～3次，在10～20Pa、20～30℃下烘2～3h，制備得到4-戊基鄰苯二甲酰亞胺。