[發明專利]一種傳感器、X射線探測器及其應用

在審

• 申請號: 202210357116.5
• 申請日: 2022-04-01
• 公開（公告）號: CN114879242A
• 公開（公告）日: 2022-08-09
• 發明（設計）人: 鐘韜;秦文輝;余肖鵬;賴曉春
• 申請（專利權）人: 上海科技大學
• 主分類號: G01T1/24
• 分類號: G01T1/24;G01N23/046;A61B6/00;A61B6/03
• 代理公司: 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219
• 代理人: 余明偉

1.一種傳感器，其特征在于，包括：

在Y方向上依次間隔排列的多個傳感單元，至少一所述傳感單元包括沿Y方向依次設置的第一電極層、傳感器層及第二電極層，所述第一電極層包括沿X方向依次間隔排列的多個收集電極，所述第二電極層包括至少一陰極，所述X方向垂直于所述Y方向；

屏蔽層，位于相鄰兩個所述傳感單元之間。

2.根據權利要求1所述的傳感器，其特征在于：所述傳感器層的材質包括砷化鎵或補償砷化鎵中的一種，且當所述傳感器層的材質包括摻雜砷化鎵時，所述補償砷化鎵中的補償雜質包括鉻或鋁中的一種。

3.根據權利要求1所述的傳感器，其特征在于：所述傳感器層在所述Y方向上的長度范圍為0.01mm～10mm，所述傳感器層在所述X方向上的長度范圍為0.05mm～100mm，所述傳感器層在Z方向上的長度范圍為0.1mm～100mm，其中，所述Z方向與所述X方向及所述Y方向兩兩相互垂直。

4.根據權利要求1所述的傳感器，其特征在于：所述收集電極的材質包括Ti、TiN、Ag、Au、Cu、Al、W、Ni、Zn、Ge及Pt中的至少一種，所述陰極的材質包括Ti、TiN、Ag、Au、Cu、Al、W、Ni、Zn、Ge及Pt中的至少一種。

5.根據權利要求1所述的傳感器，其特征在于：所述收集電極在所述X方向的尺寸范圍為1μm～10mm，所述收集電極在所述Y方向的長度范圍為1nm～0.1mm，所述陰極在所述X方向的長度范圍為0.05mm～100mm，所述陰極在所述Y方向的長度范圍為1nm～0.1mm。

6.根據權利要求1所述的傳感器，其特征在于：所述收集電極包括沿Z方向依次間隔排列的多個電極條，所述Z方向垂直于所述X方向及所述Y方向。

7.根據權利要求1或6所述的傳感器，其特征在于：所述第一電極層還包括多個漂移電極，在所述X方向上，相鄰兩個所述收集電極之間設有一個或多個所述漂移電極。

8.根據權利要求7所述的傳感器，其特征在于：當相鄰兩所述收集電極之間設有多個所述漂移電極時，至少一對位于任一所述漂移電極兩側的所述漂移電極的電位相同。

9.根據權利要求7所述的傳感器，其特征在于：所述漂移電極在所述X方向的長度范圍為1μm～10mm，所述漂移電極在所述Y方向的長度范圍為1nm～0.1mm，所述漂移電極在所述Z方向的長度小于或等于所述傳感器層在所述Z方向的長度。

10.根據權利要求1所述的傳感器，其特征在于：所述屏蔽層的材質包括金、銀、銅、鐵、鉛、鎢及鎘中的至少一種，且所述屏蔽層電絕緣并電連接基準電壓。

11.根據權利要求1所述的傳感器，其特征在于：至少一所述傳感單元包括沿負Y方向依次設置的所述第一電極層、所述傳感器層及所述第二電極層。

12.一種X射線探測器，其特征在于，包括：

如權利要求1至11中任一項所述的傳感器；

至少一專用集成芯片，位于所述傳感器的下方。

13.根據權利要求12所述的X射線探測器，其特征在于：所述傳感器與所述專用集成芯片之間設有一連接板。

14.根據權利要求13所述的X射線探測器，其特征在于：所述轉接板分別與所述傳感器及所述專用集成芯片電連接，且所述轉接板與外電路電連接。

15.根據權利要求12所述的X射線探測器，其特征在于：所述專用集成芯片與所述傳感器電連接，所述專用集成芯片的下方還設有一第一PCB電路板。