[發明專利]用于燒制陶瓷瓷胚表面處理裝置及其處理工藝

在審

• 申請號: 202210355845.7
• 申請日: 2022-04-06
• 公開（公告）號: CN114633353A
• 公開（公告）日: 2022-06-17
• 發明（設計）人: 郭豪;郭煜強;李亮珠;羅常慶;郭賽花
• 申請（專利權）人: 梅州峰聯陶瓷有限公司
• 主分類號: B28B11/24
• 分類號: B28B11/24;B28B11/04;C04B41/89
• 代理公司: 北京科家知識產權代理事務所(普通合伙) 11427
• 代理人: 周瑜

1.一種用于燒制陶瓷瓷胚表面處理裝置，其特征在于，包括：釉池(1)，釉池(1)上側轉動配合支架(2)，支架(2)底面裝設有電動推桿(3)、氣泵(4)，電動推桿(3)輸出端裝設有吸附管(6)，且氣泵(4)與吸附管(6)之間連接有過氣管(7)；

釉池(1)內彈性滑動配合有U型支架(8)，釉池(1)底部內壁與U型支架(8)底面之間裝設有彈性伸縮桿(9)，U型支架(8)內傳動配合有傳送帶(10)，傳送帶(3)上沿傳動方向陣列有多個過釉孔(11)。

2.如權利要求1所述的一種用于燒制陶瓷瓷胚表面處理裝置，其特征在于，支架(2)為L型板體結構，釉池(1)上側裝設有第一伺服電機(12)，且支架(2)固定在第一伺服電機(12)輸出端。

3.如權利要求1所述的一種用于燒制陶瓷瓷胚表面處理裝置，其特征在于，U型支架(8)內轉動配合有兩轉軸(13)，且轉軸(13)U型支架(8)內側設有凹槽，凹槽內固定有輸出端與一轉軸(13)固定連接的第二伺服電機。

4.如權利要求1所述的一種用于燒制陶瓷瓷胚表面處理裝置，其特征在于，過釉孔(11)上部內壁設有與其同軸線的環形擴口槽。

5.如權利要求1所述的一種用于燒制陶瓷瓷胚表面處理裝置，其特征在于，彈性伸縮桿(9)包括裝設在釉池(1)底部內壁的第一筒體(901)、固定在U型支架(8)底面且滑動配合在第一筒體(901)內的第二筒體(902)，釉池(1)底部內壁與U型支架(8)底面內壁之間固定有位于第一筒體(901)、第二筒體(902)內的彈簧(903)。

6.如權利要求5所述的一種用于燒制陶瓷瓷胚表面處理裝置，其特征在于，第一筒體(901)、第二筒體(902)均為多邊形筒體結構，且第二筒體(902)外側與第一筒體(901)內壁貼合。

7.一種用于燒制陶瓷瓷胚表面處理工藝，其特征在于，包括如下步驟：

S1，將陶瓷胚體浸入涂膜液中，浸漬1-3min后按照5-12cm/min的提拉速度將陶瓷胚體拉出液面，在50-66℃烘箱中干燥1.5-2h，

S2，將干燥后的陶瓷胚體在120-160℃下預熱35-40min，在330-350℃下預燒結25-30min，自然冷卻至室溫重復上述操作4-5次，

S3，將預燒結后的陶瓷胚體在755-850℃下燒結35-50min，取出后自然冷卻至室溫即可；

S4，將調配好的釉料施于陶瓷胚體表面，送入窯爐中燒制后自然冷卻至室溫得到裂紋釉半成品；

S5，將醋酸銻溶解在乙二醇和無水乙醇按1:1的體積比混合后的混合液中，再加入二乙醇，混合攪拌均勻后制得醋酸銻溶液；

S6，使用毛細滴管將醋酸銻溶液填充進裂紋釉半成品的紋路中，放烘箱中處理10-13min，自然冷卻至室溫；

S7，將煤煙填充進紋路中，在55-60℃下干燥2.5-3h，然后浸入鋁溶膠中，提拉浸漬2-3次，放入120-130℃烘箱中干燥15-20min；

S8，取出后放入馬弗爐中加熱至830-850℃處理4-6min，冷卻至室溫后浸入十三氟辛基三乙氧基硅烷溶液中，取出后放入干燥箱中在110-120℃下干燥2.5-3h即可制得成品裂紋釉。

8.如權利要求7所述的一種用于燒制陶瓷瓷胚表面處理工藝，其特征在于，在S1中的涂膜液的制備方式為：將氧氯化鋯晶狀粉末加入到由乙醇和去離子水按1:1比例混合的水解液中，在轉速為550-700r/min下攪拌使其溶解，得到氯氧化鋯醇水溶液，然后將氧化釔加入到濃硝酸中加熱溶解制成硝酸釔，加入到氯氧化鋯醇水溶液中，繼續攪拌至溶液達到透明狀態，然后緩慢滴加濃氨水直至pH值達到11.5-12，待絮狀沉淀不再產生，用去離子水將凝膠過濾洗滌至濾液中不含氯離子，然后在經過過濾的凝膠中加入濃硝酸至pH下降達到1-2，加熱至85-90℃，在轉速為150-200r/min下攪拌至凝膠完全轉化為透明溶膠，然后加入聚乙烯醇水溶液，得到涂膜液。