[發明專利]低剖面雙極化強耦合超寬帶全機翼共形偶極子相控陣天線在審
| 申請號: | 202210355059.7 | 申請日: | 2022-03-31 |
| 公開(公告)號: | CN114566798A | 公開(公告)日: | 2022-05-31 |
| 發明(設計)人: | 楊仕文;張昊天;楊鋒;黃明;屈世偉;陳益凱;胡俊 | 申請(專利權)人: | 電子科技大學 |
| 主分類號: | H01Q1/48 | 分類號: | H01Q1/48;H01Q1/38;H01Q1/50;H01Q3/32;H01Q21/24 |
| 代理公司: | 四川省成都市天策商標專利事務所(有限合伙) 51213 | 代理人: | 羅偉 |
| 地址: | 610000 四川省成*** | 國省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 剖面 極化 耦合 寬帶 機翼 偶極子 相控陣 天線 | ||
1.一種低剖面雙極化強耦合超寬帶全機翼共形偶極子相控陣天線,其特征在于,包括:兩層輕薄易彎折的上層介質基板和下層介質基板,打印于所述下層介質基板的十字交叉三角形的偶極子輻射單元,打印于偶極子輻射單元背面的三角形金屬寄生貼片;打印于所述下層介質基板的周期分布的雙開口金屬諧振環,中部彎曲成拋物面形狀的鋁制金屬地板,直插于偶極子輻射單元和地板之間的天線饋電巴倫。
2.根據權利要求1所述的低剖面雙極化強耦合超寬帶全機翼共形偶極子相控陣天線,其特征在于,全局共形化的天線結構,為了盡量貼合共形表面,所述上層介質基板和下層介質基板呈拋物線形曲面結構,且上層介質基板和下層介質基板的系數不同。
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