[發(fā)明專利]一種具有額外電極的折疊硅LDMOS及其制作方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202210353015.0
• 申請日: 2022-03-31
• 公開（公告）號: CN114784106A
• 公開（公告）日: 2022-07-22
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 段寶興;周子煜;張瑤;王彥東;楊銀堂
• 申請（專利權(quán)）人: 西安電子科技大學(xué)
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/40;H01L29/423;H01L21/336
• 代理公司: 西安智邦專利商標代理有限公司 61211
• 代理人: 王少文

1.一種具有額外電極的折疊硅LDMOS，其特征在于，包括：

P型襯底(801)；

通過刻蝕工藝形成在P型襯底(801)上部且沿左右方向延伸的溝道以及位于溝道前后兩側(cè)的溝槽；

自左至右相鄰設(shè)置在溝道前后側(cè)壁和上表面以及溝槽底面的柵氧化層(9)和場氧化層(10)；

設(shè)置在P型襯底(801)上部左側(cè)的P型阱區(qū)(3)，以及自左至右依次設(shè)置在P型阱區(qū)(3)上部左側(cè)的P型源區(qū)(5)和N型源區(qū)(4)；

設(shè)置在P型襯底(801)上部右側(cè)的N型漂移區(qū)；所述N型漂移區(qū)包括第一漂移區(qū)(1)和第二漂移區(qū)(2)；其中，第一漂移區(qū)(1)位于溝道內(nèi)；所述第二漂移區(qū)(2)位于第一漂移區(qū)(1)下方；

自左至右依次設(shè)置在N型漂移區(qū)上部且摻雜形成的第一N型環(huán)(7)、第二N型環(huán)(8)以及N型漏區(qū)(6)；其中，第二N型環(huán)(8)與N型漏區(qū)(6)相鄰，柵氧化層(9)位于P型阱區(qū)(3)上方且左側(cè)與N型源區(qū)(4)接觸，場氧化層(10)左側(cè)與柵氧化層(9)接觸，場氧化層(10)右側(cè)與N型漏區(qū)(6)接觸，且柵氧化層(9)的厚度小于場氧化層(10)；

設(shè)置在N型源區(qū)(4)和P型源區(qū)(5)交界處上方的源極電極(11)；

設(shè)置在N型漏區(qū)(6)上方的漏極電極(14)；

設(shè)置在柵氧化層(9)和場氧化層(10)交界處上方的金屬柵電極(12)；

設(shè)置在場氧化層(10)上方的額外電極(13)；所述額外電極(13)與金屬柵電極(12)之間設(shè)置有第一間隙，且額外電極(13)與金屬柵電極(12)分別與第一N型環(huán)(7)接觸；所述額外電極(13)與漏極電極(14)之間設(shè)置有第二間隙，且額外電極(13)依次通過第二N型環(huán)(8)和N型漏區(qū)(6)與漏極電極(14)接觸；所述額外電極(13)用于施加正向偏置電壓，正向偏置電壓取值范圍為10V～100V。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有額外電極的折疊硅LDMOS，其特征在于：

所述P型襯底(801)的摻雜濃度取值范圍為1.0×10¹⁴～1.0×10¹⁵cm^-3；

所述P型阱區(qū)(3)的摻雜濃度取值范圍為1.0×10¹⁶～3.0×10¹⁷cm^-3；

所述第一N型環(huán)(7)和第二N型環(huán)(8)的摻雜濃度范圍為1.0×10¹⁶～1.0×10¹⁷cm^-3。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的具有額外電極的折疊硅LDMOS，其特征在于：所述P型阱區(qū)(3)和第二漂移區(qū)(2)之間設(shè)置有第三間隙。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的具有額外電極的折疊硅LDMOS，其特征在于：所述第一漂移區(qū)(1)的高度范圍為1～6μm。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的具有額外電極的折疊硅LDMOS，其特征在于：所述正向偏置電壓范圍為10～35V。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的具有額外電極的折疊硅LDMOS，其特征在于：所述正向偏置電壓為30V。