[發明專利]復合鍍金膜及其制備方法和具有復合鍍金膜的工件

有效

• 申請號: 202210349310.9
• 申請日: 2022-04-01
• 公開（公告）號: CN114908315B
• 公開（公告）日: 2022-12-13
• 發明（設計）人: 羅素云;謝海榮;詹翔;羅建東;劉進永
• 申請（專利權）人: 深圳市雷諾表業有限公司
• 主分類號: C23C12/02
• 分類號: C23C12/02;C23C10/14;C22C9/00;C22C9/04;C23C14/14;C23C14/08;C23C28/00
• 代理公司: 北京超凡宏宇專利代理事務所(特殊普通合伙) 11463
• 代理人: 王闖

1.一種復合鍍金膜，其特征在于，包括自下而上依次層疊設置的CrCuZnN復合共滲層、CrCuZn滲金屬層、CuZn中間層、鍍Au層和透明耐磨層。

2.一種權利要求1所述的復合鍍金膜的制備方法，其特征在于，包括：采用合金共滲工藝依次制備所述CrCuZnN復合共滲層、CrCuZn滲金屬層，再采用真空鍍膜工藝在所述CrCuZn滲金屬層上依次制備所述CuZn中間層、所述鍍Au層和所述透明耐磨層。

3.如權利要求2所述的復合鍍金膜的制備方法，其特征在于，制備所述CrCuZnN復合共滲層、CrCuZn滲金屬層時，選用的標靶材料為Cr-Cu-Zn復合材料。

4.如權利要求3所述的復合鍍金膜的制備方法，其特征在于，所述Cr-Cu-Zn復合材料中，Cr的重量百分比為10%-20%，Cu重量百分比為80%-60%，Zn的重量百分比為10%-20%。

5.如權利要求2所述的復合鍍金膜的制備方法，其特征在于，制備所述CuZn中間層時，選用的標靶材料為Cu-Zn復合材料。

6.如權利要求5所述的復合鍍金膜的制備方法，其特征在于，所述Cu-Zn復合材料中，Cu的重量百分比為80%-90%，Zn的重量百分比為20%-10%。

7.如權利要求2所述的復合鍍金膜的制備方法，其特征在于，制備所述透明耐磨層時，選用的標靶材料為Al₂O₃和導電SiO₂的復合材料。

8.如權利要求7所述的復合鍍金膜的制備方法，其特征在于，所述Al₂O₃和導電SiO₂的復合材料中，Al₂O₃的重量百分比為80%-90%，導電SiO₂的重量百分比為20%-10%。

9.如權利要求2所述的復合鍍金膜的制備方法，其特征在于，所述合金共滲工藝中，選用雙陰極直流雙電源，其中一陰極電源的陰極接標靶材料，另一陰極電源的陰極接工件，陽極為真空爐壁。

10.如權利要求9所述的復合鍍金膜的制備方法，其特征在于，所述接標靶材料的陰極工作電壓為700V-800V，所述接工件的陰極工作電壓為450V-550V；共滲溫度為550℃-650℃。

11.如權利要求9所述的復合鍍金膜的制備方法，其特征在于，制備所述CrCuZnN復合共滲層時，注入氮氣，將爐內真空度調節為5Pa-15Pa，保溫時間為0.5h-1.5h。

12.如權利要求9所述的復合鍍金膜的制備方法，其特征在于，制備所述CrCuZn滲金屬層時，注入氬氣，將爐內真空度調節為5×10^-1Pa-5×10^-3Pa，保溫時間為0.3h-0.5h。

13.如權利要求2所述的復合鍍金膜的制備方法，其特征在于，所述真空鍍膜工藝中，選用中頻恒壓鍍膜電源，電源正極接工件，負極接標靶材料，以氬氣作為保護氣體。