[發明專利]一種基于SSPP的漏波天線

在審

• 申請號: 202210349203.6
• 申請日: 2022-04-01
• 公開（公告）號: CN114824755A
• 公開（公告）日: 2022-07-29
• 發明（設計）人: 曹祥玉;蔣歡;劉濤;吉地遼日;李思佳;高軍
• 申請（專利權）人: 中國人民解放軍空軍工程大學
• 主分類號: H01Q1/36
• 分類號: H01Q1/36;H01Q1/50;H01Q13/20
• 代理公司: 西安亞信智佳知識產權代理事務所(普通合伙) 61241
• 代理人: 段國剛

1.一種基于SSPP的漏波天線，其特征在于，包括：

介質單元、天線單元和輻射單元；

所述介質單元，包括上介質板和下介質板，所述上介質板設置在所述下介質板頂部；

所述天線單元，設置在所述上介質板和所述下介質板之間，所述天線單元包括共面波導饋電結構、SSPP傳輸線、第一過渡段和第二過渡段，所述第一過渡段通過所述共面波導饋電結構與天線端口連接，所述SSPP傳輸線一端與所述第一過渡段連接，另一端與所述第二過渡段連接；

所述輻射單元，包括若干上金屬貼片和若干下金屬貼片，所述上金屬貼片設置在所述上介質板頂部，所述下金屬貼片設置在所述下介質板底部。

2.根據權利要求1所述基于SSPP的漏波天線，其特征在于，所述SSPP傳輸線包括金屬微帶和若干SSPP單元槽，所述SSPP單元槽等間距排列在所述金屬微帶的同一側，所述金屬微帶一端與所述第一過渡段連接，另一端與所述第二過渡段連接。

3.根據權利要求1所述基于SSPP的漏波天線，其特征在于，所述共面波導饋電結構包括饋源接口、第一金屬地和第二金屬地，所述饋源接口位于所述下介質板的中心線上，所述饋源接口一端與所述天線端口連接，另一端與所述第一過渡段連接，所述第一金屬地和所述第二金屬地對稱設置在所述饋源接口的上方和下方，所述第一金屬地和所述第二金屬地分別與所述饋源接口之間設置間隙。

4.根據權利要求3所述基于SSPP的漏波天線，其特征在于，所述第一過渡段包括第一傳輸線、第一指數地和第二指數地，所第一傳輸線一端與所述共面波導饋電結構連接，另一端與所述SSPP傳輸線連接，所述第一指數地和第二指數地對稱設置在所述第一傳輸線的上方和下方。

5.根據權利要求4所述基于SSPP的漏波天線，其特征在于，所述第一指數地的一端與所述共面波導饋電結構連接，另一端朝著所述SSPP傳輸線的方向，逐漸張開呈喇叭形并遠離所述傳輸線；

其中，所述第一指數地弧線分布均滿足y＝f(x)＝C₁e^αx+C₂，α＝0.1，C₁＝W₂/(e^αL2-1)，C₂＝-W₂/(e^αL2-1)+ga+W₁/2，W₂為所述第一指數地的最大寬度，L₂為所述第一指數地的長度，ga為所述第一金屬地與所述饋源接口之間間隙的寬度且ga的寬度為0.25-0.3mm，坐標原點為所述第一傳輸線的起點。

6.根據權利要求4所述基于SSPP的漏波天線，其特征在于，所述第一傳輸線的一側開設有若干均勻排布的第一凹槽，所述第一凹槽的深度從靠近所述共面波導饋電結構的一端由小到大依次漸變設置。

7.根據權利要求1所述基于SSPP的漏波天線，其特征在于，所述第二過渡段包括第二傳輸線，所述第二傳輸線一側開設有若干均勻排布的第二凹槽，所述第二凹槽的深度從靠近所述SSPP傳輸線的一端由大到小依次漸變設置。

8.根據權利要求1所述基于SSPP的漏波天線，其特征在于，所述上金屬貼片與所述下金屬貼片均采用圓形金屬貼片，所述上金屬貼片與所述下金屬貼片半徑為3.6-4.2mm，所述上金屬貼片與所述下金屬貼片上下交錯均勻設置，相鄰兩個所述上金屬貼片與所述下金屬貼片中心間距為9.5-10mm，所述上金屬貼片與所述下金屬貼片中心與所述SSPP傳輸線底端間距為5.5-6.5mm。

9.根據權利要求1所述基于SSPP的漏波天線，其特征在于，所述上介質板與所述下介質板厚度均為0.5-1.5mm、介電常數均為2-4、損耗正切角為0.001。

10.根據權利要求1所述基于SSPP的漏波天線，其特征在于，所述天線單元尺寸為L×W＝400mm×35.6mm。