[發明專利]半導體工藝設備及其工藝腔室

在審

• 申請號: 202210345546.5
• 申請日: 2022-03-31
• 公開（公告）號: CN114783909A
• 公開（公告）日: 2022-07-22
• 發明（設計）人: 徐柯柯
• 申請（專利權）人: 北京北方華創微電子裝備有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 彭瑞欣;王婷

1.一種半導體工藝設備的工藝腔室，其特征在于，包括：工藝管、腔室組件及尾氣裝置；

所述腔室組件設置于所述工藝管內，所述腔室組件形成有用于容置晶圓的工藝腔，所述腔室組件的兩端分別形成有傳輸口及尾氣口，所述傳輸口用于向所述工藝腔內通入工藝氣體，所述尾氣口用于導出所述工藝腔內的尾氣；

所述尾氣裝置設置于所述工藝管內，并且位于所述尾氣口的一側，所述尾氣裝置包括有殼體、流體通道、緩沖腔及止擋臺階，其中：

所述殼體上開設有導入口及導出口，并且所述導入口靠近所述尾氣口設置，所述流體通道和所述緩沖腔形成于所述殼體的內部，所述導入口與所述流體通道的一端連通，所述導入口用于將所述尾氣導流至所述流體通道內，所述流體通道與豎直方向形成第一預設夾角，所述流體通道的另一端與所述緩沖腔連通，所述緩沖腔與所述導出口連通，所述導出口用于將所述緩沖腔內的尾氣排出；所述止擋臺階設置于所述緩沖腔內的與所述流體通道的連接處，用于防止所述緩沖腔內的尾氣倒流至所述流體通道內。

2.如權利要求1所述的工藝腔室，其特征在于，所述殼體的頂壁在豎直方向上的高度低于所述尾氣口的高度，所述殼體的頂壁與所述工藝管之間配合形成有用于傳輸所述晶圓的傳輸腔，所述傳輸腔通過所述尾氣口與所述工藝腔連通，以傳輸所述晶圓。

3.如權利要求2所述的工藝腔室，其特征在于，所述導入口開設于所述殼體的頂壁，且所述導入口的開口方向與所述尾氣口的開口方向具有第二預設夾角；所述導出口開設于所述殼體的遠離所述流體通道的底壁或側壁。

4.如權利要求3所述的工藝腔室，其特征在于，所述尾氣裝置的內部設置有導流板，所述導流板的一端與所述殼體的側壁連接，另一端朝斜下方向延伸至與所述殼體的底壁連接，所述止擋臺階設置在所述殼體的頂壁朝向所述導流板的一側，且所述止擋臺階靠近所述導入口的側面與所述導流板平行設置，所述止擋臺階的該側面與所述導流板配合形成所述流體通道。

5.如權利要求4所述的工藝腔室，其特征在于，所述止擋臺階朝向所述緩沖腔的側面與殼體的頂壁形成第三預設夾角，所述止擋臺階的該側面用于防止所述緩沖腔內的尾氣倒流至所述流體通道內。

6.如權利要求1所述的工藝腔室，其特征在于，所述導入口的寬度大于或等于所述尾氣口的寬度。

7.如權利要求1或3或5所述的工藝腔室，其特征在于，所述第一預設夾角為大于或等于30度，且小于或等于60度；

和/或，所述第二預設夾角為大于0度，且小于或等于90度；

和/或，所述第三預設夾角為大于或等于90度，且小于或等于160度。

8.如權利要求1的任一所述的工藝腔室，其特征在于，所述腔室組件包括兩個相對且間隔設置的加熱件和相對且間隔設置兩個支撐件，兩個所述支撐件位于兩個所述加熱件之間，兩個所述加熱件和兩個所述支撐件配合形成所述工藝腔，所述加熱件用于感應電磁線圈的磁場而產生熱量。

9.如權利要求8所述的工藝腔室，其特征在于，所述腔室組件還包括有兩個保溫蓋，兩個所述保溫蓋分別貼合設置于兩個所述加熱件的兩端，所述傳輸口及所述尾氣口分別形成于兩個所述保溫蓋上。

10.一種半導體工藝設備，其特征在于，包括如權利要求1至9的任一所述的半導體工藝設備的工藝腔室。