[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件的制備方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 202210344473.8
• 申請日: 2022-03-31
• 公開（公告）號(hào): CN114724932A
• 公開（公告）日: 2022-07-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉利晨;巫奉倫;夏忠平
• 申請（專利權(quán)）人: 福建省晉華集成電路有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/027
• 分類號(hào): H01L21/027;G03F7/16
• 代理公司: 北京聿宏知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11372
• 代理人: 陳超德;吳昊

1.一種半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，包括：

提供半導(dǎo)體晶圓；

對所述晶圓表面進(jìn)行中和處理，以使所述晶圓表面呈中性；

在所述晶圓表面上方形成光刻膠層；

對所述光刻膠層進(jìn)行圖案化處理，以在所述晶圓表面形成掩膜圖案；

通過所述掩膜圖案，對所述晶圓進(jìn)行圖案化處理。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，對所述晶圓表面進(jìn)行中和處理，以使所述晶圓表面呈中性，包括以下步驟：

對所述晶圓表面的酸堿性進(jìn)行檢測，并在檢測結(jié)果為所述晶圓表面呈酸性或堿性時(shí)，對所述晶圓表面進(jìn)行中和處理，以使所述晶圓表面呈中性。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，在檢測結(jié)果為所述晶圓表面呈酸性或堿性時(shí)，對所述晶圓表面進(jìn)行中和處理，以使所述晶圓表面呈中性，包括以下步驟：

在檢測結(jié)果為所述晶圓表面呈酸性或堿性時(shí)，將所述晶圓靜置預(yù)設(shè)時(shí)間后，再次對所述晶圓表面的酸堿性進(jìn)行檢測，當(dāng)再次檢測的結(jié)果仍為所述晶圓表面呈酸性或堿性時(shí)，對所述晶圓表面進(jìn)行中和處理，以使所述晶圓表面呈中性。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，在檢測結(jié)果為所述晶圓表面呈酸性或堿性時(shí)，對所述晶圓表面進(jìn)行中和處理，以使所述晶圓表面呈中性，包括以下步驟：

在檢測結(jié)果為所述晶圓表面呈酸性時(shí)，采用堿性氣體對所述晶圓表面進(jìn)行中和處理，以使所述晶圓表面呈中性；

在檢測結(jié)果為所述晶圓表面呈堿性時(shí)，采用酸性氣體對所述晶圓表面進(jìn)行中和處理，以使所述晶圓表面呈中性。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，所述堿性氣體包括氨氣；

所述酸性氣體包括二氧化碳。

6.一種半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，包括：

提供半導(dǎo)體晶圓；

在所述晶圓表面上方形成光刻膠層；

對所述光刻膠層進(jìn)行圖案化處理，以在所述晶圓表面形成掩膜圖案；其中，在對所述光刻膠層進(jìn)行圖案化處理的過程中，對形成有所述光刻膠層的所述晶圓表面進(jìn)行中和處理，以使形成有所述光刻膠層的所述晶圓表面呈中性；

通過所述掩膜圖案，對所述晶圓進(jìn)行圖案化處理。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，對所述光刻膠層進(jìn)行圖案化處理，以在所述晶圓表面形成掩膜圖案，包括以下步驟：

依次對所述光刻膠層進(jìn)行第一次烘烤、曝光、第二次烘烤和顯影，以在所述晶圓表面形成掩膜圖案。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，在對所述光刻膠層進(jìn)行圖案化處理的過程中，對形成有所述光刻膠層的所述晶圓表面進(jìn)行中和處理，包括以下步驟：

在對所述光刻膠層進(jìn)行第一次烘烤的步驟之前，對形成有所述光刻膠層的所述晶圓表面進(jìn)行中和處理。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，在對所述光刻膠層進(jìn)行圖案化處理的過程中，對形成有所述光刻膠層的所述晶圓表面進(jìn)行中和處理，包括以下步驟：

在對所述光刻膠層進(jìn)行曝光的步驟之前，對形成有所述光刻膠層的所述晶圓表面進(jìn)行中和處理。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，在對所述光刻膠層進(jìn)行圖案化處理的過程中，對形成有所述光刻膠層的所述晶圓表面進(jìn)行中和處理，包括以下步驟：

在對所述光刻膠層進(jìn)行第二次烘烤的步驟之前，對形成有所述光刻膠層的所述晶圓表面進(jìn)行中和處理。