[發(fā)明專利]一種5°微光漫反射的陶瓷巖板及其制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202210344378.8
• 申請日: 2022-03-31
• 公開（公告）號: CN114735935B
• 公開（公告）日: 2023-09-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 顧中飛
• 申請（專利權(quán)）人: 佛山市阿特貝爾建材有限公司
• 主分類號: C03C8/00
• 分類號: C03C8/00;C04B41/89;C04B41/86
• 代理公司: 佛山市智匯聚晨專利代理有限公司 44409
• 代理人: 王晶

1.一種5°微光漫反射的陶瓷巖板，其特征在于，包括自上向下設(shè)置的干粒層、微光保護(hù)釉、圖案層、微光釉及微光坯；

所述微光釉包括如下重量份的成分：

鉀長石20～25份，鈣長石20～25份，霞石正長巖5～15份，高嶺土6～10份，精細(xì)煅燒氧化鋁6～9份，99％煅燒氧化鋅1～3份，99％高純碳酸鋇8～12份，精選硅酸鋯8～10份，啞光干粒6～10份；

所述微光保護(hù)釉包括如下重量份的成分：

鉀長石15～20份，鈉長石20～25份，霞石正長巖5～10份，高嶺土6～10份，精細(xì)煅燒氧化鋁8～10份，硅灰石5～8份，99％煅燒氧化鋅1～3份，99％高純碳酸鋇8～12份，啞光干粒10～15份；

所述干粒層包括啞光干粒；

所述啞光干粒粒徑≤38微米，所述陶瓷巖板的表面光澤度為4°至5°。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的5°微光漫反射的陶瓷巖板，其特征在于，所述啞光干粒化學(xué)組成包括如下質(zhì)量百分比計(jì)的成分：

SiO₂：46～50％，Al₂O₃：18～20％，CaO：6～9％，MgO：3～6％，K₂O：1～3％，Na₂O：3～5％，ZnO：3～5％，BaO：9～11％。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的5°微光漫反射的陶瓷巖板，其特征在于，所述微光保護(hù)釉化學(xué)組成包括如下質(zhì)量百分比計(jì)的成分：

Al₂O₃：22～25％，SiO₂：45～49％，CaO：4～7％，MgO：1～3％，ZnO：2-4％，BaO：9～12％，K₂O：2～4％，Na₂O：4～6％。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的5°微光漫反射的陶瓷巖板，其特征在于，所述微光坯包括如下重量份的成分：

鉀鈉砂15～20份，超白高嶺土3～8份，石英砂15～20份，水洗黑泥12～18份，硅灰石10～15份，膨潤土2～3份，燒滑石2～3份，超白水磨料15～20份，鎂質(zhì)土10～15份，螢石礦粉6～8份。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的5°微光漫反射的陶瓷巖板，其特征在于，所述精細(xì)煅燒氧化鋁為99％純度，且粒徑≤45微米。

6.一種5°微光漫反射的陶瓷巖板制備方法，用于制備如權(quán)利要求1至5任一項(xiàng)所述的陶瓷巖板，其特征在于，包括如下步驟：

S1、制備微光坯；

S2、在微光坯表面布施微光釉；

S3、在微光釉表面噴墨打印圖案層；

S4、在圖案層上布施微光保護(hù)釉；

S5、在微光保護(hù)釉表面布施啞光干粒；

S6、燒成，燒成溫度為1180～1220℃，燒成周期為85～100min。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的5°微光漫反射的陶瓷巖板制備方法，其特征在于，所述步驟S1中，制備微光坯的具體方法為將原料球磨制漿，噴霧制粉并壓制成型。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的5°微光漫反射的陶瓷巖板制備方法，其特征在于，所述步驟S2中，微光釉的施釉比重為1.5～1.6，施釉量為400～450g/㎡。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的5°微光漫反射的陶瓷巖板制備方法，其特征在于，所述步驟S4中，微光保護(hù)釉的施釉比重為1.2～1.3，施釉量為150～180g/㎡。

10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的5°微光漫反射的陶瓷巖板制備方法，其特征在于，所述步驟S5中，啞光干粒與懸浮劑進(jìn)行混合并布施，啞光干粒與懸浮劑的重量比為1:6，比重為1.1～1.15，施釉量為60-80g/㎡。