[發明專利]基于大數據的第三代半導體測試數據分析系統

在審

• 申請號: 202210343535.3
• 申請日: 2022-03-31
• 公開（公告）號: CN114707118A
• 公開（公告）日: 2022-07-05
• 發明（設計）人: 陳海峰;鄭才忠;王躍偉
• 申請（專利權）人: 深圳力鈦科技術有限公司
• 主分類號: G06F17/18
• 分類號: G06F17/18;G06Q50/04
• 代理公司: 深圳市道勤知酷知識產權代理事務所(普通合伙) 44439
• 代理人: 何兵;呂詩

本發明公開了基于大數據的第三代半導體測試數據分析系統，涉及測試數據分析技術領域，解決了現有技術中第三代半導體對應測試數據的關聯性無法判定的技術問題，判斷需分析類型測試數據的測試質量是否合格，防止測試質量異常導致對應需分析集合的數值存在偏差，導致關聯性分析的誤差風險增加，同時影響第三代半導體測試的準確性，導致第三代半導體的生產效率降低；通過關聯性分析單元將第三代半導體的需分析類型測試數據進行關聯性分析，判斷需分析類型對應測試數據是否存在關聯，以便于第三代半導體在制造以及維護過程中，能夠提前進行數據控制，防止數據控制不及時導致第三代半導體的質量受到影響，降低了本身性能。

技術領域

本發明涉及測試數據分析技術領域，具體為基于大數據的第三代半導體測試數據分析系統。

背景技術

半導體第三代一般指禁帶寬度大于2.2eV的半導體材料，也稱為寬禁帶半導體材料。半導體產業發展至今經歷了三個階段，第一代半導體材料以硅為代表；第二代半導體材料砷化鎵也已經廣泛應用；而以氮化鎵和碳化硅、氧化鋅、氧化鋁、金剛石等寬禁帶為代表的第三代半導體材料，相較前兩代產品性能優勢顯著；相比于第一代及第二代半導體材料，第三代半導體材料在高溫、高耐壓以及承受大電流等多個方面具備明顯的優勢，因而更適合于制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件。

但是在現有技術中，第三代半導體測試過程時，無法將第三代半導體的測試數據進行分析，導致對應測試數據的關聯性無法判定，從而在第三代半導體的生產過程中無法精準把控數據，造成生產效率降低；同時，不能夠對測試數據進行性能分析，導致測試數據的準確性降低，以至于影響測試數據關聯性分析的準確性。

針對上述的技術缺陷，現提出一種解決方案。

發明內容

本發明的目的就在于為了解決上述提出的問題，而提出基于大數據的第三代半導體測試數據分析系統，判斷需分析類型測試數據的測試質量是否合格，防止測試質量異常導致對應需分析集合的數值存在偏差，導致關聯性分析的誤差風險增加，同時影響第三代半導體測試的準確性，導致第三代半導體的生產效率降低；判斷需分析類型對應測試數據是否存在關聯，以便于第三代半導體在制造以及維護過程中，能夠提前進行數據控制，防止數據控制不及時導致第三代半導體的質量受到影響，降低了本身性能。

本發明的目的可以通過以下技術方案實現：

基于大數據的第三代半導體測試數據分析系統，包括測試數據分析終端，測試數據分析終端內包括：

數據分析選取單元，用于將第三代半導體的測試數據進行劃分，采集到第三代半導體的測試數據，通過測試數據的穩定性分析和故障性分析進行篩選獲取到對應測試數據內的需分析類型；測試數據表示為第三代半導體的高飽和電子速度、高熱導率以及高電子密度；

測試子集構建單元，用于將需分析類型對應的測試數據進行測試子集構建，獲取到需分析類型的測試數據在測試時間段內的數值，通過測試數據的數值構建需分析集合；通過分析將需分析集合劃分為合格數據集合和不合格數據集合；

子集比對分析單元，用于將需分析集合進行測試分析，判斷需分析類型測試數據的測試質量是否合格，將需分析類型的測試數據對應測試進行分析，通過分析獲取到重復性參數和再現性參數，并根據其比較將需分析類型測試劃分為合格測試和不合格測試；

關聯性分析單元，用于將第三代半導體的需分析類型測試數據進行關聯性分析，判斷需分析類型對應測試數據是否存在關聯，通過分析獲取到故障關聯類型以及對應的主導關聯類型和被導關聯類型，并將其發送至測試數據分析終端。

作為本發明的一種優選實施方式，數據分析選取單元的穩定性分析過程如下：