[發明專利]一種電源管理芯片保護電路

有效

• 申請號: 202210339792.X
• 申請日: 2022-04-01
• 公開（公告）號: CN114678851B
• 公開（公告）日: 2022-09-27
• 發明（設計）人: 孟海霞;何筠;朱艷霞;梁國珍
• 申請（專利權）人: 雅致精密工業（深圳）有限公司
• 主分類號: H02H9/04
• 分類號: H02H9/04
• 代理公司: 深圳市中科創為專利代理有限公司 44384
• 代理人: 譚雪婷;彭南彪

1.一種電源管理芯片保護電路，其特征在于，包括電源端、接地端、偵測電路、與所述偵測電路連接的反相單元的輸入端、與所述反相單元連接的鉗位單元和電源管理芯片，所述偵測電路、所述鉗位單元和所述電源管理芯片連接至所述電源端和所述接地端之間；

所述鉗位單元包括與所述反相單元連接的兩個開關管、以及位于兩個所述開關管之間的半導體器件，所述半導體器件包括第一導電類型的第一摻雜區、位于所述第一摻雜區上的第二導電類型的第一阱區、形成在所述第一阱區上的第一導電類型的第二阱區、自所述第二阱區延伸至所述第一阱區的兩個第一導電類型的第二摻雜區、以及形成在所述第二阱區的第三摻雜區，所述第二摻雜區與所述開關管的漏極連接，所述第一摻雜區與所述開關管的源極連接，兩個所述開關管的柵極與所述反相單元的輸出端連接；

其中，所述偵測電路用于檢測所述電源端的浪涌電壓，并經過所述反相單元輸出至兩個所述開關管的柵極以開啟所述鉗位單元，所述鉗位單元將所述浪涌電壓從所述接地端釋放。

2.根據權利要求1所述的電源管理芯片保護電路，其特征在于，所述偵測電路包括至少一個電阻和至少一個電容、并聯在所述電源端和所述接地端的PMOS管、NMOS管，所述PMOS管的源極與所述電源端連接，所述PMOS管的柵極與所述NMOS管的柵極連接并位于所述電阻和所述電容的連接處，所述PMOS管的漏極與所述NMOS管的漏極連接，所述NMOS管的源極與所述接地端連接。

3.根據權利要求1所述的電源管理芯片保護電路，其特征在于，所述反相單元為二極管，所述二極管的陽極與所述偵測電路的輸出端連接，所述二極管的陰極與所述鉗位單元連接。

4.根據權利要求3所述的電源管理芯片保護電路，其特征在于，所述第一導電類型為N型，所述第二導電類型為P型，所述開關管為NMOS管。

5.根據權利要求1所述的電源管理芯片保護電路，其特征在于，所述反相單元為反相器，所述反相器的輸入端與所述偵測電路的輸出端連接，所述反相器的輸出端與所述鉗位單元連接。

6.根據權利要求5所述的電源管理芯片保護電路，其特征在于，所述第一導電類型為N型，所述第二導電類型為P型，所述開關管為PMOS管。

7.根據權利要求1所述的電源管理芯片保護電路，其特征在于，所述電源管理芯片包括電壓轉換模塊，所述電壓轉換模塊用于將直流電壓轉換為交流電壓，或將交流電壓轉換為直流電壓。

8.根據權利要求7所述的電源管理芯片保護電路，其特征在于，所述電源管理芯片還包括脈沖調節模塊，所述脈沖調節模塊用于驅動外部開關。

9.根據權利要求1所述的電源管理芯片保護電路，其特征在于，所述第一阱區與所述第二阱區的摻雜濃度相同。

10.根據權利要求1所述的電源管理芯片保護電路，其特征在于，所述第一摻雜區和所述第三摻雜區的摻雜濃度相同。