[發明專利]三維存儲器及其制備方法、存儲系統在審
| 申請號: | 202210336320.9 | 申請日: | 2022-03-31 |
| 公開(公告)號: | CN114709217A | 公開(公告)日: | 2022-07-05 |
| 發明(設計)人: | 郭亞麗;霍宗亮;徐偉;許波;劉思敏;陳斌 | 申請(專利權)人: | 長江存儲科技有限責任公司 |
| 主分類號: | H01L27/11524 | 分類號: | H01L27/11524;H01L27/11551;H01L27/1157;H01L27/11578;H01L29/06;G11C5/02;G11C5/04;G11C16/04 |
| 代理公司: | 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
| 地址: | 430000 湖北省武*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 三維 存儲器 及其 制備 方法 存儲系統 | ||
1.一種三維存儲器的制備方法,其特征在于,包括:
在襯底的一側形成疊層結構,所述疊層結構具有沿第一方向相鄰的核心區和階梯區;所述第一方向平行于所述襯底形成有所述疊層結構的側面;
形成貫穿所述堆疊結構的第一隔槽,所述第一隔槽沿所述第一方向延伸,且所述第一隔槽沿所述第一方向的一端靠近或落入所述核心區與所述階梯區之間的分界區;
在所述第一隔槽內形成第一分隔結構;
形成貫穿所述堆疊結構的第二隔槽,所述第二隔槽沿所述第一方向延伸,所述第二隔槽與所述第一隔槽連通;以及,
在所述第二隔槽內形成第二分隔結構,所述第二分隔結構與所述第一分隔結構共同構成一條柵極分隔結構。
2.根據權利要求1所述的制備方法,其特征在于,
所述第一隔槽包括沿所述第一方向依次連接的第一槽部和第二槽部;所述第一槽部沿所述第一方向的長度大于所述第二槽部沿所述第一方向的長度;至少所述第一槽部位于所述核心區。
3.根據權利要求2所述的制備方法,其特征在于,
所述第二槽部位于所述核心區或分界區。
4.根據權利要求1所述的制備方法,其特征在于,
所述第一隔槽包括沿所述第一方向依次連接的第一槽部和第二槽部;所述第一槽部沿所述第一方向的長度大于所述第二槽部沿所述第一方向的長度;至少所述第一槽部位于所述階梯區。
5.根據權利要求4所述的制備方法,其特征在于,
所述第二槽部位于所述分界區;
或者,
所述第二槽部同時位于所述分界區和所述核心區。
6.根據權利要求2~5中任一項所述的制備方法,其特征在于,在形成所述第一隔槽之前,還包括:
形成多個溝道結構,所述多個溝道結構貫穿所述疊層結構,且所述多個溝道結構位于所述核心區;
其中,距離所述階梯區最近的溝道結構的靠近所述階梯區的切面為第一參考面;
所述第二槽部沿所述第一方向遠離所述第一槽部的一端與所述第一參考面之間的間距,小于所述溝道結構的最大徑向尺寸。
7.根據權利要求6所述的制備方法,其特征在于,
所述第二槽部沿所述第一方向遠離所述第一槽部的一端,與所述第一參考面平齊。
8.根據權利要求1~5中任一項所述的制備方法,其特征在于,
所述第二隔槽沿所述第一方向的長度,大于所述第一隔槽沿所述第一方向的長度。
9.根據權利要求1~5中任一項所述的制備方法,其特征在于,還包括:
形成貫穿所述疊層結構的第三隔槽,所述第三隔槽沿所述第一方向延伸,且所述第三隔槽位于所述階梯區;
在所述第三隔槽內形成第三分隔結構,所述第三分隔結構位于所述階梯區;
形成貫穿所述疊層結構的第四隔槽,所述第四隔槽沿所述第一方向延伸,且所述第四隔槽與所述第三隔槽連通;以及,
在所述第四隔槽內形成第四分隔結構,所述第四分隔結構從所述階梯區延伸至所述核心區,所述第四分隔結構與所述第三分隔結構共同構成另一條柵極分隔結構,所述疊層結構中位于所述一條柵極分隔結構與所述另一條柵極分隔結構之間的部分為一個塊結構;
其中,
所述第一隔槽與所述第三隔槽在同一工藝步驟中形成,所述第一分隔結構與所述第一分隔結構在同一工藝步驟中形成;和/或,
所述第二隔槽與所述第四隔槽在同一工藝步驟中形成,所述第二分隔結構與所述第四分隔結構在同一工藝步驟中形成。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





