[發明專利]半導體器件的制作方法、半導體器件以及存儲系統

在審

• 申請號: 202210335897.8
• 申請日: 2022-03-31
• 公開（公告）號: CN114709171A
• 公開（公告）日: 2022-07-05
• 發明（設計）人: 夏正亮;周文斌;霍宗亮;徐文祥;魏健藍
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L23/538;H01L27/11524;H01L27/11551;H01L27/1157;H01L27/11578
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 霍文娟

1.一種半導體器件的制作方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括襯底、堆疊結構、開口、第一絕緣層、第一填充層以及第二填充層，其中，所述堆疊結構位于所述襯底的表面上，所述堆疊結構包括多個疊置的第一臺階，所述第一臺階包括沿遠離所述襯底方向依次設置的絕緣介質層以及犧牲層，所述開口包括第一子開口以及第二子開口，所述第一子開口貫穿所述犧牲層至所述絕緣介質層，所述第二子開口連通所述第一子開口并貫穿至所述襯底中，所述第二子開口中依次設置有所述第一絕緣層以及所述第一填充層，所述第一子開口填充有所述第二填充層；

將各所述犧牲層以及各所述第二填充層分別置換為包括第一金屬層的材料；

去除所述襯底以及部分的所述第一絕緣層，使得各所述第一填充層裸露；

將各所述第一填充層分別置換為第二金屬層。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，將各所述犧牲層以及各所述第二填充層分別置換為包括第一金屬層的材料，包括：

去除各所述犧牲層以及各所述第二填充層，以形成多個第一凹槽；

在各所述第一凹槽中依次形成第二絕緣層以及所述第一金屬層，以填滿各所述第一凹槽。

3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，將各所述第一填充層分別置換為第二金屬層，包括：

依次去除各所述第一填充層以及部分的所述第二絕緣層，以使得部分的所述第一金屬層裸露，得到多個第二凹槽；

在各所述第二凹槽中分別形成所述第二金屬層。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，提供基底，包括：

提供依次疊置的所述襯底以及預備堆疊結構，所述預備堆疊結構包括本體結構以及位于所述本體結構中的多個第一預備開口，所述本體結構包括交替疊置的所述絕緣介質層以及所述犧牲層；

在各所述第一預備開口中依次形成第三預備絕緣層以及第四預備填充層，以填滿各所述第一預備開口；

去除部分的所述本體結構、部分的所述第三預備絕緣層以及部分的所述第四預備填充層，形成多個所述第一臺階，剩余的所述預備堆疊結構形成所述堆疊結構，剩余的所述第三預備絕緣層形成第三絕緣層，剩余的所述第四預備填充層形成第四填充層；

在所述第一臺階中形成所述第一子開口，以及形成位于所述第二子開口中的所述第一絕緣層和所述第一填充層，并在所述第一子開口中填充所述第二填充層。

5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，在所述第一臺階中形成所述第一子開口，以及形成位于所述第二子開口中的所述第一絕緣層和所述第一填充層，并在所述第一子開口中填充所述第二填充層，包括：

依次去除部分的所述第四填充層以及部分的所述第三絕緣層，得到多個所述第一子開口，剩余的所述第四填充層形成所述第一填充層，剩余的所述第三絕緣層形成所述第一絕緣層，所述第一填充層以及所述第一絕緣層填充在所述第二子開口中；

在各所述第一子開口中形成所述第二填充層；

在形成有所述第二填充層的所述堆疊結構的裸露表面形成第一介質層。

6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，在將各所述第一填充層分別置換為第二金屬層之后，所述方法還包括：

在所述第二金屬層的遠離所述第一介質層的表面上形成第二介質層。

7.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，在去除部分的所述本體結構、部分的所述第三預備絕緣層以及部分的所述第四預備填充層，形成多個所述第一臺階之后，在所述第一臺階中形成所述第一子開口之前，所述方法還包括：

去除各所述第四填充層，形成多個第二預備開口；

在所述堆疊結構的裸露表面以及各所述第二預備開口中依次形成第四絕緣層以及第五填充層，以至少填滿各所述第二預備開口。