[發(fā)明專利]一種大帶寬、低損耗的集成硅基Y波導(dǎo)在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202210331480.4 | 申請(qǐng)日: | 2022-03-31 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN114706165A | 公開(kāi)(公告)日: | 2022-07-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 周彥汝;尹程玉;劉文耀;邢恩博;唐軍;劉俊 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中北大學(xué) |
| 主分類號(hào): | G02B6/125 | 分類號(hào): | G02B6/125;G02B6/124;G02B6/122 |
| 代理公司: | 太原新航路知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 14112 | 代理人: | 王勇 |
| 地址: | 030051 山*** | 國(guó)省代碼: | 山西;14 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說(shuō)明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 帶寬 損耗 集成 波導(dǎo) | ||
1.一種大帶寬、低損耗的集成硅基Y波導(dǎo),其特征在于:包括呈橫向設(shè)置的主直波導(dǎo)段(1);主直波導(dǎo)段(1)的右端延伸設(shè)置有左窄右寬的錐形波導(dǎo)段(2);錐形波導(dǎo)段(2)的右端延伸設(shè)置有兩個(gè)過(guò)渡直波導(dǎo)段(3),且兩個(gè)過(guò)渡直波導(dǎo)段(3)呈前后對(duì)稱分布;兩個(gè)過(guò)渡直波導(dǎo)段(3)之間形成有耦合狹縫;兩個(gè)過(guò)渡直波導(dǎo)段(3)的右端各延伸設(shè)置有一個(gè)圓弧波導(dǎo)段(4),且兩個(gè)圓弧波導(dǎo)段(4)呈前后對(duì)稱分布;耦合狹縫內(nèi)填充有亞波長(zhǎng)光柵,且亞波長(zhǎng)光柵的各個(gè)柵條(5)均呈縱向設(shè)置;主直波導(dǎo)段(1)的厚度、錐形波導(dǎo)段(2)的厚度、兩個(gè)過(guò)渡直波導(dǎo)段(3)的厚度、兩個(gè)圓弧波導(dǎo)段(4)的厚度、亞波長(zhǎng)光柵的厚度均一致;主直波導(dǎo)段(1)的寬度、錐形波導(dǎo)段(2)的左端寬度、兩個(gè)過(guò)渡直波導(dǎo)段(3)的寬度、兩個(gè)圓弧波導(dǎo)段(4)的寬度均一致;錐形波導(dǎo)段(2)的右端寬度等于兩個(gè)過(guò)渡直波導(dǎo)段(3)的寬度與耦合狹縫的寬度之和。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種大帶寬、低損耗的集成硅基Y波導(dǎo),其特征在于:主直波導(dǎo)段(1)的厚度、錐形波導(dǎo)段(2)的厚度、兩個(gè)過(guò)渡直波導(dǎo)段(3)的厚度、兩個(gè)圓弧波導(dǎo)段(4)的厚度、亞波長(zhǎng)光柵的厚度均為190nm~250nm;錐形波導(dǎo)段(2)的長(zhǎng)度大于等于2μm;兩個(gè)過(guò)渡直波導(dǎo)段(3)的長(zhǎng)度均為0.95μm~1.05μm;兩個(gè)圓弧波導(dǎo)段(4)的內(nèi)徑均大于5μm;亞波長(zhǎng)光柵的周期為100nm~300nm;亞波長(zhǎng)光柵的柵條(5)個(gè)數(shù)為4~6。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種大帶寬、低損耗的集成硅基Y波導(dǎo),其特征在于:該集成硅基Y波導(dǎo)是基于SOI平臺(tái)加工而成的。
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