[發(fā)明專利]一種降低受熱翹曲的DBC基板在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202210330995.2 | 申請(qǐng)日： | 2022-03-30 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN114759007A | 公開（公告）日： | 2022-07-15 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 陳材;張弛;杜夢(mèng)瑤;康勇 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 華中科技大學(xué) |
| 主分類號(hào)： | H01L23/498 | 分類號(hào)： | H01L23/498;H01L23/367;H01L23/373 |
| 代理公司： | 華中科技大學(xué)專利中心 42201 | 代理人： | 李曉飛 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 國(guó)省代碼： | 湖北;42 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說(shuō)明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 降低 受熱 dbc 基板 | ||
1.一種降低受熱翹曲的DBC基板，從上到下依次包括：頂部銅層(1)、絕緣陶瓷層(4)及底部銅層(5)；所述頂部銅層(1)上開設(shè)有多個(gè)并列排布的元器件焊接區(qū)域，相鄰元器件焊接區(qū)域之間設(shè)有絕緣間隙(3)，其特征在于，所述底部銅層(5)上設(shè)置有減荷槽區(qū)域，所述減荷槽區(qū)域與所述絕緣間隙的豎直中心線重合，且所述減荷槽區(qū)域的寬度不小于所述絕緣間隙的寬度；在所述減荷槽區(qū)域內(nèi)開設(shè)有多個(gè)呈陣列狀分布的減荷槽。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的DBC基板，其特征在于，當(dāng)所述減荷槽區(qū)域的寬度大于所述絕緣間隙的寬度時(shí)，所述減荷槽的中心位于所述絕緣間隙在底部銅層對(duì)應(yīng)區(qū)域的邊緣線上。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的DBC基板，其特征在于，所述減荷槽為球坑。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的DBC基板，其特征在于，所述元器件焊接區(qū)域有兩個(gè)，且關(guān)于頂部銅層的中軸線對(duì)稱。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的DBC基板，其特征在于，所述絕緣間隙的寬度D為0.8-1.2mm。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的DBC基板，其特征在于，所述球坑的直徑為0.2mm-D/2mm，相鄰所述球坑外圓周之間的最短距離為0.2mm-D mm。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的DBC基板，其特征在于，所述頂部銅層(1)和底部銅層(5)疊置于所述絕緣陶瓷層(4)表面的中間。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的DBC基板，其特征在于，所述頂部銅層(1)和底部銅層(5)的表面鍍鎳。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的DBC基板，其特征在于，所述絕緣陶瓷層的材料為氮化鋁、氧化鋁、氮化硅或氧化鈹。
10.根據(jù)權(quán)利要求1-9任意一項(xiàng)所述的DBC基板，其特征在于，所述頂部銅層(1)的厚度為0.1mm-0.3mm；所述絕緣陶瓷層(4)的厚度為0.38mm-0.65mm；所述底部銅層(5)的厚度為0.1mm-0.3mm。
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