[發明專利]半導體裝置在審
| 申請號： | 202210330288.3 | 申請日： | 2022-03-30 |
| 公開（公告）號： | CN114864579A | 公開（公告）日： | 2022-08-05 |
| 發明（設計）人： | 陳仕承;江國誠;林志昌 | 申請（專利權）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/092 | 分類號： | H01L27/092;H01L21/8238;H01L29/06 |
| 代理公司： | 隆天知識產權代理有限公司 72003 | 代理人： | 閆華 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 裝置 | ||
【權利要求書】：
1.一種半導體裝置，包括：
一基板；
一第一源極/漏極結構與一第二源極/漏極結構，位于該基板上；
一第一半導體層與一第二半導體層，位于該第一源極/漏極結構與該第二源極/漏極結構之間；
一柵極，位于該第一源極/漏極結構與該第二源極/漏極結構之間，其中該柵極的一部分更位于該第一半導體層與該第二半導體層之間；
一第一內側間隔物，位于該第一半導體層與該第二半導體層之間，且更位于該柵極的該部分與該第一源極/漏極結構的一部分之間，其中該第一內側間隔物具有一U形輪廓，且其中該第一源極/漏極結構的該部分位于該第一半導體層與該第二半導體層之間；以及
一第二內側間隔物，位于該第一內側間隔物與該第一源極/漏極結構的該部分之間。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
