[發(fā)明專利]一種去除砷化鎵芯片封裝的方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202210329753.1
• 申請(qǐng)日: 2022-03-28
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN114864437A
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-08-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 尚躍;陳建;賈麗娟
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海聚躍檢測(cè)技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/67
• 分類號(hào): H01L21/67
• 代理公司: 上海金盛協(xié)力知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31242
• 代理人: 嚴(yán)帥

1.一種去除砷化鎵芯片封裝的方法，其特征在于，該方法采用濃硫酸與乙酸混合液腐蝕去除砷化鎵芯片的環(huán)氧樹脂封裝，從而保留砷化鎵襯底。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，所述采用濃硫酸與乙酸的混合液腐蝕去除砷化鎵芯片的環(huán)氧樹脂封裝體，包括：將濃硫酸與乙酸以體積比3:1混合進(jìn)行加熱，通過(guò)控制所述混合液的溫度來(lái)控制對(duì)砷化鎵芯片環(huán)氧樹脂封裝的腐蝕速度。

3.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，對(duì)所述混合液進(jìn)行加熱，通過(guò)控制所述濃硫酸與乙酸混合液的溫度來(lái)控制對(duì)砷化鎵芯片環(huán)氧樹脂封裝的腐蝕速度，具體為：先將所述混合液加熱至沸騰后停止加熱、并將待去除環(huán)氧樹脂封裝的砷化鎵封裝投入到所述濃硫酸中完全浸沒(méi)，經(jīng)過(guò)預(yù)設(shè)時(shí)長(zhǎng)、待所述砷化鎵芯片的環(huán)氧樹脂封裝充分腐蝕后將其與所述混合液分離。

4.如權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述濃硫酸的質(zhì)量份數(shù)為80％,所述預(yù)設(shè)時(shí)長(zhǎng)為30秒。

5.如權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，在將所述砷化鎵芯片與所述混合液分離，使用酒精對(duì)所述砷化鎵芯片進(jìn)行清洗。