[發明專利]一種降低翹曲的芯片級封裝結構及其制備方法

有效

• 申請號: 202210328945.0
• 申請日: 2022-03-31
• 公開（公告）號: CN114420676B
• 公開（公告）日: 2022-06-14
• 發明（設計）人: 丁曉春;李宗懌;梁新夫;倪洽凱;郝俊峰
• 申請（專利權）人: 長電集成電路（紹興）有限公司
• 主分類號: H01L23/552
• 分類號: H01L23/552;H01L23/00;H01L23/49;H01L23/538;H01L21/48;H01L21/768
• 代理公司: 重慶中之信知識產權代理事務所(普通合伙) 50213
• 代理人: 梁欣

1.一種降低翹曲的芯片級封裝結構，其特征在于，包括：金屬基層以及位于所述金屬基層上的芯片封裝體；在所述金屬基層上的所述芯片封裝體周圍還設有環繞所述芯片封裝體的導電線，所述導電線上設有經整平處理延伸到所述芯片封裝體上表面的外延結構，形成包括金屬基層-導電線-外延結構的包封箍結構。

2.根據權利要求1所述的一種降低翹曲的芯片級封裝結構，其特征在于：

所述芯片封裝體包括依次連接的芯片包封層、金屬布線層以及導電連接件；所述金屬布線層通過介電層與所述導電線接觸。

3.根據權利要求2所述的一種降低翹曲的芯片級封裝結構，其特征在于：

所述芯片包封層包括與所述金屬布線層電連接的芯片，所述芯片與所述金屬布線層之間填充有底填膠層。

4.根據權利要求2所述的一種降低翹曲的芯片級封裝結構，其特征在于：

所述芯片封裝體中還包括連接所述金屬基層和所述金屬布線層中的接地層的互聯柱。

5.根據權利要求1所述的一種降低翹曲的芯片級封裝結構，其特征在于：

所述導電線的截面結構為金屬或合金的單一結構；或

所述導電線的截面結構為包層包覆導電柱芯的結構。

6.根據權利要求5所述的一種降低翹曲的芯片級封裝結構，其特征在于：

所述包層采用錫基合金，所述導電柱芯采用銀或銅或鋁或金或其任意組合的合金材料。

7.根據權利要求5或6所述的一種降低翹曲的芯片級封裝結構，其特征在于：

所述包層經高溫回流工藝處理和所述整平處理形成所述外延結構。

8.根據權利要求1所述的一種降低翹曲的芯片級封裝結構，其特征在于：

所述外延結構由加熱融化的焊線經所述整平處理形成。

9.一種降低翹曲的芯片級封裝結構的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

提供具有第一鍵合層的第一載板，在所述第一鍵合層上制備金屬布線層并制備芯片包封層；

在所述芯片包封層中的所述芯片外側制作環狀凹槽；

將導電線埋設在所述環狀凹槽內，減薄所述芯片包封層以及導電線；

制備金屬基層以覆蓋所述芯片包封層和導電線；

準備具有第二鍵合層的第二載板，將所述第二鍵合層壓合至所述金屬基層上；

去除所述第一鍵合層和第一載板；

在所述金屬布線層上制作導電連接件，形成芯片封裝體；

在所述導電線靠近所述芯片包封層一側經整平處理制作延伸到所述芯片封裝體上表面的外延結構，形成包括金屬基層-導電線-外延結構的包封箍結構；

去除所述第二鍵合層和第二載板。

10.根據權利要求9所述的一種降低翹曲的芯片級封裝結構的制備方法，其特征在于：

在去除所述第二鍵合層和第二載板之前，還包括：

對所述包封箍結構進行分割。

11.根據權利要求9或10所述的一種降低翹曲的芯片級封裝結構的制備方法，其特征在于：

所述制備芯片包封層，包括如下步驟：

在所述金屬布線層上制作用于與芯片電連接的焊盤結構；

將芯片焊接到所述焊盤結構上；

包封所述芯片以形成芯片包封層。

12.根據權利要求11所述的一種降低翹曲的芯片級封裝結構的制備方法，其特征在于：

在所述包封所述芯片以形成芯片包封層之前，還包括如下步驟：

在所述金屬布線層上制作互聯柱；

所述減薄所述芯片包封層，包括：

將所述芯片包封層減薄至露出所述互聯柱。