[發(fā)明專利]一種在二氧化鈦納米管陣列表面沉積納米金的方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202210326543.7
• 申請(qǐng)日: 2022-03-30
• 公開（公告）號(hào): CN114717631A
• 公開（公告）日: 2022-07-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 宋文;張玉梅;徐博雅;何奕德;張燕;李廣文;侯亞杰
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國(guó)人民解放軍空軍軍醫(yī)大學(xué)
• 主分類號(hào): C25D11/26
• 分類號(hào): C25D11/26;C25D7/00;C25D3/48;C25D5/54
• 代理公司: 西安研創(chuàng)天下知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 61239
• 代理人: 王文煥

1.一種在二氧化鈦納米管陣列表面沉積納米金的方法，其特征在于，包括以下步驟，

S1：鈦片預(yù)處理：

S2：鈦片表面陽極氧化形成二氧化鈦納米管陣列；

S3：使用有機(jī)薄膜對(duì)二氧化鈦納米管陣列的基底及其側(cè)壁進(jìn)行絕緣處理，只保留與電極接觸的部分用于導(dǎo)電接觸；

S4：以步驟S3中處理后的二氧化鈦納米管陣列作為工作電極，鉑片為輔助電極，在氯金酸溶液中進(jìn)行恒壓電沉積；

S5：去除有機(jī)薄膜絕緣層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種在二氧化鈦納米管陣列表面沉積納米金的方法，其特征在于，步驟S1的具體操作包括，

S101：將直徑為1.5cm，厚度為1mm的圓形鈦片置于清水中，依次采用400目、800目、1500目砂紙進(jìn)行打磨，每一粒度砂紙打磨2min，直至鈦片表面呈現(xiàn)光滑鏡面；

S102：將打磨后的鈦片在清水中超聲清洗15min，去除表面污跡。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種在二氧化鈦納米管陣列表面沉積納米金的方法，其特征在于，步驟S2的具體操作包括，

S201：配制陽極氧化所需的電解液；

S202：將鈦絲彎制成間隔1.5cm的鈦片固定夾，對(duì)經(jīng)過步驟S101處理后的鈦片進(jìn)行夾持固定，并將鈦絲與電源的陽極相連，電源的陰極與碳棒電極相連；

S203：打開電源并將電壓調(diào)至最小后，將夾持有鈦片的鈦絲和碳棒電極放入步驟S201中配制好的電解液中，固定鈦絲；

S204：緩慢升高電壓，對(duì)鈦片的表面進(jìn)行陽極氧化，形成二氧化鈦納米管陣列，氧化時(shí)間為1h，陽極氧化期間使用磁力攪拌儀攪動(dòng)電解液；

S205：將步驟S204中陽極氧化后的鈦片依次放入丙酮溶液、無水乙醇和去離子水中進(jìn)行超聲波震蕩清洗，每種溶液各清洗15min。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種在二氧化鈦納米管陣列表面沉積納米金的方法，其特征在于，步驟S201中配制陽極氧化所需的電解液的具體操作步驟包括：在300mL去離子水中加入23mL85％磷酸溶液和5mL氫氟酸溶液，隨后加入去離子水定容至400ml，攪拌均勻。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種在二氧化鈦納米管陣列表面沉積納米金的方法，其特征在于，步驟S204中緩慢升高電壓至5V、10V或者20V。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種在二氧化鈦納米管陣列表面沉積納米金的方法，其特征在于，步驟S3的具體操作包括，

S301：使用有機(jī)薄膜封閉二氧化鈦納米管陣列的的基底及其側(cè)壁，進(jìn)行絕緣處理，只保留與電極接觸的部分用于導(dǎo)電接觸；

S302：將絕緣處理后的鈦片浸入0.01M的氯金酸溶液中，震蕩2min，排除二氧化鈦納米管陣列內(nèi)的空氣。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種在二氧化鈦納米管陣列表面沉積納米金的方法，其特征在于，步驟S301中所述的有機(jī)薄膜采用鄰苯二甲酸酯或聚甲基丙烯酸甲酯。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種在二氧化鈦納米管陣列表面沉積納米金的方法，其特征在于，步驟S4中工作電極與輔助電極之間的間距為30mm，電沉積的電壓為5V，電沉積時(shí)間為10min，氯金酸溶液中包含0.1M的HAuCL₄和0.2M的HBO₃溶液。