[發明專利]一種氧化鋯陶瓷制備方法及氧化鋯陶瓷識別卡在審
| 申請號： | 202210326487.7 | 申請日： | 2022-03-30 |
| 公開（公告）號： | CN114591081A | 公開（公告）日： | 2022-06-07 |
| 發明（設計）人： | 洪偉強;劉國旗;易海波;鐘建橋 | 申請（專利權）人： | 湖南華聯特種陶瓷有限公司 |
| 主分類號： | C04B35/48 | 分類號： | C04B35/48;C04B35/622;G06K19/06 |
| 代理公司： | 北京風雅頌專利代理有限公司 11403 | 代理人： | 曾志鵬 |
| 地址： | 412200 湖南*** | 國省代碼： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 氧化鋯 陶瓷 制備 方法 識別 | ||
1.一種氧化鋯陶瓷制備方法，其特征在于，包括如下步驟：
(1)將質量分數為91-92％的氧化鋯粉體、質量分數為0.3-0.5％的氧化鋁粉體、質量分數為4.2-4.6％的氧化釔粉體和質量分數為3.3-3.9％的陶瓷色劑粉體加入混料桶內，混合均勻，得到預混粉體；
(2)將所述預混粉體和水按照1:0.4-0.7的比例加入球磨機內，再加入分散劑，混合均勻，得到固含量30-50％的初級漿料；
(3)將得到的所述初級漿料進行造粒噴霧，得到初級造粒粉，將所述初級造粒粉置于900-1050℃下煅燒，得到初級煅燒料；
(4)將所述初級煅燒料和水按照1:0.3-0.5的比例加入球磨機，再加入分散劑，混合均勻，得到固含量60-70％的二級漿料；
(5)緩慢加入PVA至所述二級漿料，攪拌均勻，然后將所述二級漿料進行造粒噴霧，得到二級造粒粉；
(6)將所述二級造粒粉壓制成型，再在等靜壓下壓緊，得到坯料；
(7)將所述坯料在730-830℃下保溫脫脂，然后在1400-1500℃下保溫燒結，即制得氧化鋯陶瓷。
2.如權利要求1所述的氧化鋯陶瓷制備方法，其特征在于，包括如下步驟：
(1)將質量分數為91.75％的氧化鋯粉體、質量分數為0.35％的氧化鋁粉體、質量分數為4.3％的氧化釔粉體和質量分數為3.6％的陶瓷色劑粉體加入混料桶內，混合均勻，得到預混粉體；
(2)將所述預混粉體和水按照1:0.4-0.7的比例加入球磨機內，再加入分散劑，混合均勻，得到固含量30-50％的初級漿料；
(3)將得到的所述初級漿料進行造粒噴霧，得到初級造粒粉，將所述初級造粒粉在900-1050℃下煅燒3h，得到初級煅燒料；
(4)將所述初級煅燒料和水按照1:0.3-0.5的比例加入球磨機，再加入分散劑，混合均勻，得到固含量60-70％的二級漿料；
(5)緩慢加入PVA至所述二級漿料，攪拌均勻，然后將所述二級漿料進行造粒噴霧，得到二級造粒粉；
(6)在90MPa的壓力下將所述二級造粒粉壓制成型，然后在190MPa的等靜壓下壓緊，得到坯料；
(7)將所述坯料在730-830℃下保溫3h脫脂，然后在1400-1500℃下保溫3h燒結，即制得氧化鋯陶瓷。
3.如權利要求1或2所述的氧化鋯陶瓷制備方法，其特征在于，步驟(1)中，所述氧化鋯粉體為1.8-2.2Y的氧化鋯粉體。
4.如權利要求1或2所述的氧化鋯陶瓷制備方法，其特征在于，步驟(2)中，加入的所述分散劑與所述預混粉體的重量比為1～3:200。
5.如權利要求1或2所述的氧化鋯陶瓷制備方法，其特征在于，步驟(4)中，加入的所述分散劑與所述初級煅燒料的重量比為1～3:200。
6.如權利要求1或2所述的氧化鋯陶瓷制備方法，其特征在于，步驟(5)中，加入的PVC與所述二級漿料的重量比為1～3:200。
7.如權利要求1或2所述的氧化鋯陶瓷制備方法，其特征在于，步驟(2)中加入的所述分散劑為PVA，步驟(4)中加入的所述分散劑為PVA。
8.如權利要求1或2所述的氧化鋯陶瓷制備方法，其特征在于，步驟(7)中，坯料的燒結溫度為1450±20℃。
9.一種氧化鋯陶瓷識別卡，其特征在于，包括陶瓷基體和信息識別芯片，所述陶瓷基體為權利要求1-8任一項所述的氧化鋯陶瓷制備方法制得的氧化鋯陶瓷，所述陶瓷基體上開設有容納槽，所述信息識別芯片設置于所述容納槽內。
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