[發明專利]一種芯片切割后處理方法

在審

• 申請號: 202210321794.6
• 申請日: 2022-03-25
• 公開（公告）號: CN114664984A
• 公開（公告）日: 2022-06-24
• 發明（設計）人: 徐盼盼;閆寶華;齊國健;李法健
• 申請（專利權）人: 山東浪潮華光光電子股份有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L21/683
• 代理公司: 濟南光啟專利代理事務所(普通合伙) 37292
• 代理人: 李曉平

本發明公開一種芯片切割后處理方法，包括如下步驟：(1)將電極面貼覆了白膜的芯片沿著電極面垂直方向及平行方向劃片。(2)去除芯片電極面上的白膜，然后在芯片的非電極面貼上白膜，沿著所述非電極面垂直方向及平行方向劃片，并保留非電極面上的白膜。(3)沿著芯片的電極面切割道中心對芯片進行垂直方向及平行方向劈裂。(4)清洗劈裂完成的芯片，然后對白膜進行微括處理，完成后對芯片進行倒膜，使芯片非電極面朝向藍膜粘貼面；然后對芯片進行加熱擴膜，即可。本發明的方法解決了切割后芯片崩邊、崩角、殘膠污染的問題，顯著提升了切割良率。同時，該方法無需增加額外設備及材料，易于工業化實現。

技術領域

本發明涉及芯片切割技術領域，具體涉及一種芯片切割后處理方法。

背景技術

本發明背景技術中公開的信息僅僅旨在增加對本發明的總體背景的理解，而不必然被視為承認或以任何形式暗示該信息構成已經成為本領域一般技術人員所公知的現有技術。

在LED芯片制備工藝中，需要通過切割將制作好的整個芯片分割成所需尺寸的單一芯片，這是半導體發光二極管芯片制造工藝中必不可少的工序。傳統的切割工藝有激光切割和鋸片切割，但不論采用哪種切割方式，都需要先將芯片粘貼到粘性膜上，切割完成后再進行加熱擴膜及倒膜。在芯片切割及倒膜等過程中，由于LED芯片基底材質堅硬、易脆裂等特點，易出現芯片崩邊破損等異常；同時，由于芯片電極表面光滑度差異及白膜加熱后粘性增大等原因，倒膜后極易出現芯片電極表面殘膠污染等異常，制約著LED芯片切割良率的提升。

發明內容

本發明提供一種芯片切割后處理方法，該方法有效解決了切割后芯片崩邊、崩角、殘膠污染等異常情況，顯著了提升了切割良率。同時，該方法無需增加額外設備及材料，易于工業化實現。為實現上述目的，本發明公開如下所示的技術方案。

一種芯片切割后處理方法，包括如下步驟：

(1)將非電極面貼覆白膜的芯片沿著電極面垂直方向及平行方向劃片。

(2)去除芯片非電極面上的白膜，然后在芯片的電極面貼覆白膜，沿著所述非電極面垂直方向及平行方向劃片，并保留電極面上的白膜。

(3)沿著芯片的非電極面切割道中心對芯片進行垂直方向及平行方向劈裂。

(4)清洗劈裂完成的芯片，對白膜進行微括處理。完成后對芯片進行倒膜，使芯片非電極面貼覆藍膜；然后對芯片進行加熱擴膜，即可。

進一步地，步驟(1)中，所述芯片為完成正負電極制作且減薄的芯片。

進一步地，步驟(1)中，所述芯片的厚度為150～170μm。

進一步地，步驟(1)中，將芯片電極面朝下放置貼膜機上，將白膜覆蓋粘貼到芯片非電極面上。優選地，貼膜加熱溫度為35～55℃。

進一步地，步驟(1)中，采用激光劃片機進行劃片，劃片激光功率為2～5W，劃片深度為30～50μm，劃片速度為150～350mm/s。

進一步地，步驟(2)中，將芯片非電極面朝下放置貼膜機上，將白膜覆蓋粘貼到芯片電極面上。優選地，貼膜加熱溫度為35～55℃。

進一步地，步驟(2)中，采用激光劃片機進行劃片，劃片激光功率為2～5W，劃片深度為30～50μm，劃片速度為150～350mm/s。

進一步地，步驟(3)中，劈裂深度為1～5μm。優選地，采用劈裂機對芯片進行劈裂，裂片機主軸轉速為10000～15000μm/s，劈刀下降時間為8～12s。

進一步地，步驟(4)中，采用高壓清水對芯片進行清洗。可選地，清洗流量為0.5～2L/min，平臺轉速為2000～5000r/min，清洗時間為40～60s，以去除芯片表面的切屑等。