[發明專利]硅基薄膜、太陽電池及其制備方法

在審

• 申請號: 202210320702.2
• 申請日: 2022-03-29
• 公開（公告）號: CN114823302A
• 公開（公告）日: 2022-07-29
• 發明（設計）人: 張麗平;劉正新;藍仕虎;張海川;趙暉;李龍文;孟凡英
• 申請（專利權）人: 中威新能源（成都）有限公司
• 主分類號: H01L21/205
• 分類號: H01L21/205;H01L31/028;H01L31/0747;H01L31/20;C23C16/24;C23C16/46;C23C16/50
• 代理公司: 華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 周孝湖

1.一種硅基薄膜的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

對基底進行預熱；及

將預熱后的所述基底置于沉積腔室內，向所述沉積腔室內充入氫氣和惰性氣體，觸發輝光放電，然后向所述沉積腔室內充入反應氣體在所述基底上沉積形成硅基薄膜。

2.根據權利要求1所述的硅基薄膜的制備方法，其特征在于，所述沉積腔室內氫氣、惰性氣體和反應氣體形成的混合氣體中，氫氣與反應氣體的體積比為(1～3000)：1，所述惰性氣體的體積百分比為5％～80％；沉積形成所述硅基薄膜過程中，所述沉積腔室內的氣壓范圍為1Pa～300Pa。

3.根據權利要求1所述的硅基薄膜的制備方法，其特征在于，在所述基底上觸發輝光1s～120s之后，向所述沉積腔室內充入所述反應氣體。

4.根據權利要求1所述的硅基薄膜的制備方法，其特征在于，所述硅基薄膜為本征硅薄膜，所述反應氣體包括CO₂和CH₄中的至少一種以及SiH₄和Si₂H₆中的至少一種；或者

所述硅基薄膜為n型摻雜硅薄膜，所述反應氣體包括SiH₄和Si₂H₆中的至少一種以及PH₃；或者

所述硅基薄膜為p型摻雜硅薄膜，所述反應氣體包括SiH₄和Si₂H₆中的至少一種以及B₂H₆。

5.根據權利要求1至4任一項所述的硅基薄膜的制備方法，其特征在于，所述對基底進行預熱，包括如下步驟：

將基底置于預熱腔室內，對所述基底進行預熱，預熱過程中向預熱腔室內充入氫氣和惰性氣體。

6.根據權利要求5所述的硅基薄膜的制備方法，其特征在于，預熱過程中向所述預熱腔室內還充入氮氣；和/或

所述基底的預熱溫度為150℃～300℃，預熱時間為20s～200s。

7.根據權利要求6所述的硅基薄膜的制備方法，其特征在于，所述預熱腔室內氮氣、氫氣和惰性氣體形成的混合氣體中，所述氮氣的體積百分比為50％～90％，氫氣的體積百分比為5％～49％，惰性氣體的體積百分比為5％～45％；預熱過程中所述預熱腔室內的氣壓范圍為1Pa～300Pa。

8.一種硅基薄膜，其特征在于，所述硅基薄膜通過權利要求1至7任一項所述的制備方法制備得到。

9.一種太陽電池的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

對n型單晶硅基底進行制絨和清洗處理；

采用權利要求1至7任一項所述的制備方法在所述基底的相對的兩個表面上分別沉積硅基薄膜；

在所述基底的相對兩個表面上的所述硅基薄膜上分別沉積透明導電薄膜；及

在所述基底的相對兩個表面上的所述透明導電薄膜上分別制作金屬電極。

10.一種太陽電池，其特征在于，所述太陽電池通過權利要求9所述的太陽電池的制備方法制備得到。