[發明專利]半導體裝置

在審

• 申請號: 202210319629.7
• 申請日: 2019-03-07
• 公開（公告）號: CN114678416A
• 公開（公告）日: 2022-06-28
• 發明（設計）人: 鄭會晟;姜太星;申東石;李公洙;李準原
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L29/423
• 分類號: H01L29/423;H01L29/10;H01L29/78;H01L27/108
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 王學強;尹淑梅

1.一種半導體裝置，所述半導體裝置包括：

基底，包括形成有單元區域的第一區域和形成有核心-外圍區域的第二區域；

柵極堆疊件，位于所述基底的所述第二區域上，所述柵極堆疊件包括包含氧化物的第一柵極絕緣膜、位于所述第一柵極絕緣膜上的包括鉿的第二柵極絕緣膜、位于所述第二柵極絕緣膜上的包括鑭和氮化鈦的第一電極、位于所述第一電極上的第二電極；

柵極堆疊絕緣膜，接觸所述柵極堆疊件的側表面和頂表面；

雜質區域，具有設置在所述基底的所述第二區域中位于所述柵極堆疊件的至少一側上的堆垛層錯；

氮化硅膜，覆蓋所述雜質區域的上表面，所述氮化硅膜與所述柵極堆疊絕緣膜接觸；以及

接觸件，穿過所述氮化硅膜延伸至所述雜質區域。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，所述第一柵極絕緣膜包括氧化硅，所述第二柵極絕緣膜包括氮氧化鉿硅，并且所述第二電極包括多晶硅、氮化鈦硅和鎢。

3.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，所述堆垛層錯設置在所述雜質區域的內部，所述堆垛層錯從所述雜質區域的與所述柵極堆疊件相鄰的下表面延伸，所述堆垛層錯與所述雜質區域的所述下表面形成銳角。

4.根據權利要求1所述的半導體裝置，所述半導體裝置還包括：

第三電極，位于所述第二柵極絕緣膜與所述第一電極之間，所述第三電極包括第一氮化鈦膜、鋁膜和第二氮化鈦膜。

5.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，所述氮化硅膜在所述柵極堆疊件的所述側表面和所述上表面上與所述柵極堆疊絕緣膜接觸。

6.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，所述雜質區域包括第一部分以及位于所述第一部分與所述柵極堆疊件之間的第二部分，

其中，從所述雜質區域的所述第一部分的上表面至所述雜質區域的所述第一部分的下表面的第一深度大于從所述雜質區域的所述第二部分的上表面至所述雜質區域的所述第二部分的下表面的第二深度，并且

其中，所述堆垛層錯設置在所述雜質區域的所述第二部分處。

7.一種半導體裝置，所述半導體裝置包括：

基底，包括形成有單元區域的第一區域和形成有核心-外圍區域的第二區域；

柵極堆疊件，位于所述基底的所述第二區域上，所述柵極堆疊件包括包含氧化物的第一柵極絕緣膜、位于所述第一柵極絕緣膜上的包括鉿的第二柵極絕緣膜、位于所述第二柵極絕緣膜上的第一電極、位于所述第一電極上的包括鑭和氮化鈦的第二電極、位于所述第二電極上的第三電極，所述第一電極包括第一氮化鈦膜、鋁膜和第二氮化鈦膜；

柵極堆疊絕緣膜，接觸所述柵極堆疊件的側表面和頂表面；

雜質區域，具有設置在所述基底的所述第二區域中位于所述柵極堆疊件的至少一側上的堆垛層錯；

氮化硅膜，覆蓋所述雜質區域的上表面，所述氮化硅膜與所述柵極堆疊絕緣膜接觸；以及

接觸件，穿過所述氮化硅膜延伸至所述雜質區域。

8.根據權利要求7所述的半導體裝置，其中，所述堆垛層錯設置在所述雜質區域的內部，所述堆垛層錯從所述雜質區域的與所述柵極堆疊件相鄰的下表面延伸，所述堆垛層錯與所述雜質區域的所述下表面形成銳角。

9.根據權利要求7所述的半導體裝置，其中，所述第一柵極絕緣膜包括氧化硅，所述第二柵極絕緣膜包括氮氧化鉿硅，并且所述第三電極包括多晶硅、氮化鈦硅和鎢。

10.一種半導體裝置，所述半導體裝置包括：

基底，包括形成有單元區域的第一區域和形成有核心-外圍區域的第二區域；

柵極堆疊件，位于所述基底的所述第二區域上，所述柵極堆疊件包括包含氧化物的第一柵極絕緣膜、位于所述第一柵極絕緣膜上的包括鉿的第二柵極絕緣膜、位于所述第二柵極絕緣膜上的包括鑭和氮化鈦的第一電極、位于所述第一電極上的第二電極；

柵極堆疊絕緣膜，接觸所述柵極堆疊件的側表面和頂表面；

雜質區域，具有設置在所述基底的所述第二區域中位于所述柵極堆疊件的一側上的堆垛層錯；

柵極結構絕緣膜，覆蓋所述雜質區域的上表面，所述柵極結構絕緣膜與所述柵極堆疊絕緣膜接觸；以及

氮化硅膜，與所述柵極結構絕緣膜接觸；以及

接觸件，穿過所述氮化硅膜和所述柵極結構絕緣膜延伸至所述雜質區域。