[發(fā)明專利]一種靜電卡盤多區(qū)溫控系統(tǒng)在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202210313806.0 | 申請日: | 2022-03-28 |
| 公開(公告)號: | CN114678301A | 公開(公告)日: | 2022-06-28 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 莊仕偉;劉嬋娟 | 申請(專利權(quán))人: | 江蘇師范大學(xué);蘇師大半導(dǎo)體材料與設(shè)備研究院(邳州)有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/683 |
| 代理公司: | 南京經(jīng)緯專利商標(biāo)代理有限公司 32200 | 代理人: | 徐爾東 |
| 地址: | 221000 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 靜電 卡盤 溫控 系統(tǒng) | ||
1.一種靜電卡盤多區(qū)溫控系統(tǒng),其特征在于:包括設(shè)置有內(nèi)圓區(qū)(1)、中圓區(qū)、中外圓區(qū)、外圓區(qū)(10)四個同心圓區(qū)的靜電卡盤,所述中圓區(qū)包括沿內(nèi)圓區(qū)(1)外周均布的第一中圓區(qū)(2)、第二中圓區(qū)(3)、第三中圓(4)、第四中圓區(qū)(5),所述中外圓區(qū)包括沿中圓區(qū)外周均布的第一中外圓區(qū)(6)、第二中外圓區(qū)(7)、第三中外圓區(qū)(8)、第四中外圓區(qū)(9),所述內(nèi)圓區(qū)(1)、第一中圓區(qū)(2)、第二中圓區(qū)(3)、第三中圓(4)、第四中圓區(qū)(5)、第一中外圓區(qū)(6)、第二中外圓區(qū)(7)、第三中外圓區(qū)(8)、第四中外圓區(qū)(9)、外圓區(qū)(10)內(nèi)設(shè)置有獨(dú)立的PI電熱膜、溫度傳感器,所述PI電熱膜、溫度傳感器與溫控器電連接。
2.如權(quán)利要求1所述的一種靜電卡盤多區(qū)溫控系統(tǒng),其特征在于:所述PI電熱膜通過固態(tài)繼電器與溫控器電連接。
3.如權(quán)利要求1所述的一種靜電卡盤多區(qū)溫控系統(tǒng),其特征在于:所述靜電卡盤包括依次設(shè)置的介電層、加熱層、基座,所述PI電熱膜按照內(nèi)圓區(qū)(1)、第一中圓區(qū)(2)、第二中圓區(qū)(3)、第三中圓(4)、第四中圓區(qū)(5)、第一中外圓區(qū)(6)、第二中外圓區(qū)(7)、第三中外圓區(qū)(8)、第四中外圓區(qū)(9)、外圓區(qū)(10)的布置方式黏貼固定在加熱層靠近基座的一側(cè),所述溫度傳感器內(nèi)嵌于基座內(nèi)與PI電熱膜對應(yīng),每個PI電熱膜對應(yīng)一個溫度傳感器。
4.如權(quán)利要求3所述的一種靜電卡盤多區(qū)溫控系統(tǒng),其特征在于:所述介電層、加熱層、基座均呈圓形結(jié)構(gòu)設(shè)置。
5.如權(quán)利要求3所述的一種靜電卡盤多區(qū)溫控系統(tǒng),其特征在于:所述安裝基板層內(nèi)設(shè)置有與所述內(nèi)圓區(qū)(1)、中圓區(qū)、中外圓區(qū)、外圓區(qū)(10)對應(yīng)的且避開溫度傳感器的冷卻管道,所述冷卻管道與冷卻機(jī)連通。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





