[發明專利]一種片上毫米波雷達多模式本振鏈路及控制方法

在審

• 申請號: 202210310308.0
• 申請日: 2022-03-28
• 公開（公告）號: CN114740431A
• 公開（公告）日: 2022-07-12
• 發明（設計）人: 何建中;張雷;方然
• 申請（專利權）人: 清矽微電子（南京）有限公司
• 主分類號: G01S7/02
• 分類號: G01S7/02
• 代理公司: 北京科領智誠知識產權代理事務所(普通合伙) 11782
• 代理人: 陳士騫

本發明公開一種片上毫米波雷達多模式本振鏈路及控制方法，包括包括：分配網絡、第一放大電路、第二放大電路、第三放大電路、二選一電路、倍頻電路和第四放大電路；所述分配網絡分別連接所述第一放大電路的輸入端和所述第二放大電路的輸出端，所述第一放大電路的輸出端連接所述二選一電路的一路輸入端，所述二選一電路的另一路輸入端連接所述第三放大電路的輸出端和所述第二放大電路的輸入端，所述二選一電路的輸出端連接所述倍頻電路的輸入端，所述倍頻電路的輸出端連接所述第四放大電路的輸入端；所述第一放大電路連接控制信號S1，所述第二放大電路連接控制信號S2，所述第三放大電路連接控制信號S3，所述二選一電路連接控制信號S4。結合片上毫米波雷達多模式工作需求，采用高集成度的分配網絡和一系列控制開關，對毫米波雷達本振鏈路進行優化設計，在保證毫米波雷達多模式硬件兼容的同時，壓縮了芯片面積，降低了芯片成本。

技術領域

本發明屬于毫米波雷達技術領域，特別涉及一種片上毫米波雷達多模式本振鏈路及控制方法。

背景技術

近年來，毫米波雷達受到越來越多的關注，逐漸應用于汽車電子、無人機、智能監控等多個領域。本振信號作為毫米波雷達系統的關鍵信號，對接收和發射的性能都有重要影響。在毫米波雷達不同的使用或測試場景下，需要對本振信號的流向和輸入輸出端口進行不同的處理，涉及的工作或測試模式包括常規工作模式、本振參考信號測試模式、本振鏈路測試模式、陣列雷達級聯模式等，相關電路的實現往往非常復雜，占用較大的面積提高了芯片成本。

發明內容

本發明提供一種片上毫米波雷達多模式本振鏈路和控制方法，用以克服現有技術中存在的至少一個技術問題。

根據本發明實施例的第一方面，提供一種片上毫米波雷達多模式本振鏈路，包括分配網絡、第一放大電路、第二放大電路、第三放大電路、二選一電路、倍頻電路和第四放大電路；所述分配網絡分別連接所述第一放大電路的輸入端和所述第二放大電路的輸出端，所述第一放大電路的輸出端連接所述二選一電路的一路輸入端，所述二選一電路的另一路輸入端連接所述第三放大電路的輸出端和所述第二放大電路的輸入端，所述二選一電路的輸出端連接所述倍頻電路的輸入端，所述倍頻電路的輸出端連接所述第四放大電路的輸入端；所述第一放大電路連接控制信號S1，所述第二放大電路連接控制信號S2，所述第三放大電路連接控制信號S3，所述二選一電路連接控制信號S4。

所述分配網絡包括多端口變壓器B1、N型MOS晶體管M1、N型MOS晶體管M3、N型MOS晶體管M5、N型MOS晶體管M7、P型MOS晶體管M2、P型MOS晶體管M4、P型MOS晶體管M6、P型MOS晶體管M8、反相器I1、反相器I2、電容C1、電容C2；所述多端口變壓器B1包括主級線圈L1、第一次級線圈L2和第二次級線圈L3；所述線圈L1兩端分別接端口a和地，所述線圈L2兩端分別接端口b和端口e，所述線圈L3兩端分別接端口d和端口c；所述N型MOS晶體管M1和所述P型MOS晶體管M2的源漏兩端并聯分別接端口b和電壓V1，所述N型MOS晶體管M3和所述P型MOS晶體管M4的源漏兩端并聯分別接端口c和電壓V1，所述P型MOS晶體管M2和所述P型MOS晶體管M4接所述反相器I1的輸入端和控制信號D1，所述N型MOS晶體管M1和所述N型MOS晶體管M3接反相器I1的輸出端；所述N型MOS晶體管M5和所述P型MOS晶體管M6的源漏兩端并聯分別接端口e和電壓V2，所述N型MOS晶體管M7和所述P型MOS晶體管M8的源漏兩端并聯分別接端口d和電壓V2，所述P型MOS晶體管M6和所述P型MOS晶體管M8接所述反相器I2的輸入端和控制信號D2，所述N型MOS晶體管M5和所述N型MOS晶體管M7接反相器I2的輸出端；所述電容C1兩端分別接電壓V1和地，所述電容C2兩端分別接電壓V2和地。

所述電壓V1為所述第二放大電路提供電源電壓，所述電壓V2為所述第一放大電路提供偏置電壓。