[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202210310111.7
• 申請(qǐng)日: 2016-03-17
• 公開（公告）號(hào): CN114744002A
• 公開（公告）日: 2022-07-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 田中裕介;永野隆史;若野壽史;松沼健司
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 索尼半導(dǎo)體解決方案公司
• 主分類號(hào): H01L27/146
• 分類號(hào): H01L27/146;H04N5/369
• 代理公司: 北京信慧永光知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11290
• 代理人: 陳睆;曹正建

1.一種半導(dǎo)體裝置，包括：

第一硅層；

第二硅層，所述第二硅層接合至所述第一硅層；以及

配線層，所述配線層被配置成將所述第一硅層電連接至所述第二硅層，其中，第一中空區(qū)域形成在所述配線層中。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述配線層包括：

第一絕緣膜，所述第一絕緣膜包括第一材料；以及

第二絕緣膜，所述第二絕緣膜包括不同于所述第一材料的第二材料。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

第二中空區(qū)域形成在所述配線層中，并且

所述第一絕緣膜位于所述第一中空區(qū)域與所述第二中空區(qū)域之間。

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述第一硅層包括浮置擴(kuò)散節(jié)點(diǎn)。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

所述配線層包括：

第三中空區(qū)域，

第四中空區(qū)域，以及

連接至所述浮置擴(kuò)散節(jié)點(diǎn)的配線，并且

所述配線在第一方向上位于所述第三中空區(qū)域與所述第四中空區(qū)域之間。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述配線不接觸所述第一中空區(qū)域、所述第三中空區(qū)域和所述第四中空區(qū)域中的每一者。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

所述配線層還包括傳輸晶體管，并且

所述傳輸晶體管在垂直于所述第一方向的第二方向上位于所述第三中空區(qū)域與所述第一硅層之間。

8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

所述配線與所述第三中空區(qū)域和所述第四中空區(qū)域接觸。

9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

所述第三中空區(qū)域包括排列在所述第一方向上的多個(gè)中空區(qū)域。

10.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

所述第四中空區(qū)域包括排列在所述第一方向上的多個(gè)中空區(qū)域。