[發(fā)明專利]一種月面塵埃沉積質(zhì)量原位探測器及其制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202210308857.4 | 申請日: | 2022-03-25 |
| 公開(公告)號: | CN114674917B | 公開(公告)日: | 2023-07-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王永軍;李得天;王鹢;張海燕;孔風(fēng)連;莊建宏;李存惠;趙呈選 | 申請(專利權(quán))人: | 蘭州空間技術(shù)物理研究所 |
| 主分類號: | G01N29/02 | 分類號: | G01N29/02;G01N29/036;G01N5/00 |
| 代理公司: | 北京元理果知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11938 | 代理人: | 饒小平 |
| 地址: | 730013 甘肅*** | 國省代碼: | 甘肅;62 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 塵埃 沉積 質(zhì)量 原位 探測器 及其 制造 方法 | ||
1.一種月面塵埃沉積質(zhì)量原位探測器,其特征在于,包括測量石英晶體微天平、諧振電路以及參考石英晶體微天平,其中:
所述測量石英晶體微天平與所述參考石英晶體微天平設(shè)置在同一平面上;
所述測量石英晶體微天平與所述諧振電路連接;
所述參考石英晶體微天平內(nèi)部設(shè)置有溫度傳感器;
所述測量石英晶體微天平包括第一晶片支架、測量石英晶片、金屬電極以及粘性薄膜,其中:
所述測量石英晶片設(shè)置在第一晶片支架的內(nèi)部,兩端與第一晶片支架固定連接;
所述測量石英晶片的上下兩側(cè)均沉積有金屬電極;
所述測量石英晶片上金屬電極的表面印制有粘性薄膜;
所述參考石英晶體微天平包括第二晶片支架、參考石英晶片、金屬電極以及粘性薄膜,其中:
所述參考石英晶片設(shè)置在第二晶片支架的內(nèi)部,兩端與第二晶片支架固定連接;
所述參考石英晶片的上下兩側(cè)均沉積有金屬電極;
所述參考石英晶片上金屬電極的表面印制有粘性薄膜;
所述測量石英晶片與所述參考石英晶片的基頻相差≤500Hz。
2.如權(quán)利要求1所述的月面塵埃沉積質(zhì)量原位探測器,其特征在于,所述測量石英晶體微天平的金屬電極與所述諧振電路連接。
3.如權(quán)利要求1所述的月面塵埃沉積質(zhì)量原位探測器,其特征在于,所述溫度傳感器貼附在所述參考石英晶片下金屬電極的表面。
4.如權(quán)利要求1所述的月面塵埃沉積質(zhì)量原位探測器,其特征在于,所述粘性薄膜為低飽和蒸氣壓的H型阿皮松真空脂。
5.一種制造權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述的月面塵埃沉積質(zhì)量原位探測器的方法,其特征在于,包括如下步驟:
步驟1:選擇高純度石英晶體,按與石英晶體主光軸成35°16′切割(即AT切形)加工,制備一組石英晶片,石英晶片的加工厚度為0.15-0.2mm,直徑為0.75-1.25cm;
步驟2:將切削好的石英晶片依次用丙酮、無水乙醇、酒精和去離子水,各進(jìn)行15min的超聲清洗,去除表面有機(jī)污染物和其他雜質(zhì),然后用干燥的壓縮氮?dú)獯蹈墒⒕?/p>
步驟3:利用光刻膠在石英晶片上做掩膜,接著光刻顯影出石英晶片的電極和電極引線部分的圖形,然后將該晶片放置在本底真空度為10-4Pa的物理氣相沉積腔室,以氬氣為工作氣體,通過磁控濺射法濺射金靶沉積電極和引線;
步驟4:通過調(diào)節(jié)濺射參數(shù),將金屬電極及引線厚度限制在200±50nm,隨后取出石英晶片,在丙酮溶液中浸泡,將光刻膠的部分脫落,僅留濺射沉積的金屬電極和引線;
步驟5:將低飽和蒸氣壓的H型阿皮松真空脂加熱軟化制成漿料,利用刮片將真空脂印刷到放置在高密絲網(wǎng)下石英晶片的電極上面,厚度為15-25μm,面積為0.3-0.4cm2;
步驟6:對印制有粘性薄膜的一組石英晶片進(jìn)行基頻監(jiān)測和溫頻特性研究,最終選擇在室溫下基頻相差≤500Hz的兩個(gè)晶片分別做成測量石英晶片和參考石英晶片;
步驟7:將鉑電阻元件作為高精度的溫度傳感器,貼附在參考石英晶片的下金屬電極的表面,用來實(shí)時(shí)監(jiān)測環(huán)境熱輻射導(dǎo)致的晶片溫度變化;
步驟8:將測量石英晶片和參考石英晶片分別固定安裝在晶片支架上,并將測量石英晶片的電極引線和諧振電路接通,構(gòu)成完整的月面塵埃沉積質(zhì)量原位探測器。
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