[發(fā)明專利]顯示面板及顯示裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202210307554.0 | 申請日: | 2022-03-25 |
| 公開(公告)號: | CN114678480A | 公開(公告)日: | 2022-06-28 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 朱莉;馮靖伊 | 申請(專利權(quán))人: | 京東方科技集團股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/52 | 分類號: | H01L51/52;H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京華夏泰和知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11662 | 代理人: | 吳雪 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 顯示 面板 顯示裝置 | ||
1.一種顯示面板,其特征在于,包括:
陣列基板;
發(fā)光元件層,位于所述陣列基板上,所述發(fā)光元件層包括多個發(fā)光區(qū)域和非發(fā)光區(qū)域,所述多個發(fā)光區(qū)域陣列排布,所述非發(fā)光區(qū)域位于相鄰發(fā)光區(qū)域之間;
封裝層,位于所述發(fā)光元件層背離所述陣列基板的一側(cè);
光控層,位于所述封裝層背離所述陣列基板的一側(cè),所述光控層包括與所述非發(fā)光區(qū)域?qū)恼诠獠俊⒏采w所述遮光部的第一有機層以及位于所述第一有機層上的第二有機層,且所述第一有機層的折射率小于所述第二有機層的折射率;其中,所述第一有機層包括覆蓋所述封裝層的支撐層和位于所述支撐層背離所述封裝層的一側(cè)的錐形部,所述錐形部與所述遮光部對應,且所述錐形部的側(cè)壁沿遠離所述封裝層的方向漸縮設(shè)置。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述錐形部的所述側(cè)壁在所述發(fā)光元件層上的正投影至少覆蓋所述發(fā)光區(qū)域與所述非發(fā)光區(qū)域的交界處。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示面板,其特征在于,所述錐形部的所述側(cè)壁與所述封裝層之間的傾斜角度α的取值范圍為:60°≤α≤80°。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述遮光部位于所述支撐層與所述錐形部之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的顯示面板,其特征在于,所述錐形部還包括遠離所述支撐層的頂面,所述遮光部在所述封裝層上的正投影面積小于所述頂面在所述封裝層上的正投影面積。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述遮光部位于所述支撐層與所述封裝層之間。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示面板,其特征在于,所述錐形部還包括遠離所述支撐層的頂面,所述遮光部在所述封裝層上的正投影面積小于或者等于所述頂面在所述封裝層上的正投影面積。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板,其特征在于,還包括色阻層,所述色阻層位于所述光控層背離所述陣列基板的一側(cè),所述色阻層包括多個色阻單元,所述色阻單元與同種顏色的所述發(fā)光區(qū)域?qū)噜彽膬蓚€所述色阻單元之間的交疊部分在所述封裝層上的正投影面積小于或者等于所述錐形部的所述頂面在所述封裝層上的正投影面積。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板,其特征在于,還包括像素限定層,所述像素限定層包括多個像素開口,所述多個像素開口與所述多個發(fā)光區(qū)域一一對應;
所述錐形部的側(cè)壁在所述陣列基板上的正投影與所述像素開口在所述陣列基板上的正投影部分重疊。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述遮光部的數(shù)量為多個,多個所述遮光部陣列排布;所述第一有機層的多個所述錐形部整面覆蓋多個所述遮光部。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述遮光部的數(shù)量為多個,多個所述遮光部陣列排布;所述第一有機層的指定區(qū)域內(nèi)設(shè)置有多個所述錐形部,每個所述錐形部覆蓋對應的一個所述遮光部。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述第一有機層的折射率n1=1.4~1.5,所述第二有機層的折射率n2=1.7~1.8。
13.一種顯示裝置,其特征在于,包括如權(quán)利要求1至12任一項所述的顯示面板。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的,如有機發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





