[發(fā)明專利]一種異質(zhì)結(jié)電池的制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202210306227.3
• 申請(qǐng)日: 2022-03-25
• 公開（公告）號(hào): CN114725239B
• 公開（公告）日: 2023-05-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 周肅;龔道仁;徐曉華;張良;張景
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 安徽華晟新能源科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L31/18
• 分類號(hào): H01L31/18;H01L31/20
• 代理公司: 北京三聚陽光知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11250
• 代理人: 薛異榮

本發(fā)明涉及太陽能電池技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種異質(zhì)結(jié)電池的制備方法，該方法包括：提供半導(dǎo)體襯底層，在所述半導(dǎo)體襯底層至少一側(cè)形成摻雜非晶硅膜；對(duì)所述摻雜非晶硅膜在富氧條件下進(jìn)行晶化處理，使所述摻雜非晶硅膜形成摻雜微晶硅膜。本發(fā)明的異質(zhì)結(jié)電池的制備方法中，摻雜微晶硅膜由摻雜非晶硅膜晶化后形成，采用沉積非晶硅膜而后再微晶化的方式，其設(shè)備成本相對(duì)于直接沉積微晶硅膜的設(shè)備成本較低，且非晶硅膜晶化工藝簡(jiǎn)單，可顯著降低生產(chǎn)成本。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及太陽能電池技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種異質(zhì)結(jié)電池的制備方法。

背景技術(shù)

隨著PERC電池(鈍化發(fā)射極和背面電池，Passivated?Emitterand?Rear?Cell)效率趨近于極限，近幾年Topcon電池(隧穿氧化層鈍化接觸電池，Tunnel?Oxide?PassivatedContact?Cell)和HJT電池(異質(zhì)結(jié)電池，(Heterojunction?with?Intrinsic?Thin-layerCell)受到越來越多的關(guān)注，其效率極限都能達(dá)到28％左右。尤其是異質(zhì)結(jié)電池具有工藝流程簡(jiǎn)單，易于薄片化，雙面率高及溫度系數(shù)低等優(yōu)勢(shì)，受到廣泛的關(guān)注。異質(zhì)結(jié)電池具有較高的轉(zhuǎn)換效率，是太陽能電池的重要發(fā)展方向，具有廣闊的市場(chǎng)前景和研究意義。

然而，現(xiàn)有異質(zhì)結(jié)電池中的非晶硅寄生光吸收比較多大，導(dǎo)電性差的缺點(diǎn)限制了其轉(zhuǎn)換效率的進(jìn)一步提升，研究表明非晶硅部分轉(zhuǎn)換成晶體硅后可以有效解決這些缺點(diǎn)，但是現(xiàn)有的等離子體增強(qiáng)化學(xué)的氣相沉積(Plasma?Enhanced?Chemical?VaporDeposition，簡(jiǎn)稱PECVD)設(shè)備在制備微晶硅時(shí)會(huì)極大的降低產(chǎn)能，同時(shí)微晶硅制備效果也不佳，生產(chǎn)成本較高。

發(fā)明內(nèi)容

因此，本發(fā)明要解決的技術(shù)問題在于克服現(xiàn)有技術(shù)中的摻雜微晶硅層生產(chǎn)成本較高的缺陷，從而提供一種異質(zhì)結(jié)電池的制備方法。

本發(fā)明提供一種異質(zhì)結(jié)電池的制備方法，包括：包括提供半導(dǎo)體襯底層；在所述半導(dǎo)體襯底層至少一側(cè)形成摻雜非晶硅膜；對(duì)所述摻雜非晶硅膜在富氧條件下進(jìn)行晶化處理，使所述摻雜非晶硅膜形成摻雜微晶硅膜。

可選的，所述富氧條件為氧的濃度為310mg/L-6000mg/L。

可選的，在所述半導(dǎo)體襯底層至少一側(cè)形成摻雜非晶硅膜的步驟包括：在所述半導(dǎo)體襯底層的一側(cè)表面形成第一摻雜非晶硅膜；和/或，在所述半導(dǎo)體襯底層的另一側(cè)表面形成第二摻雜非晶硅膜；對(duì)所述摻雜非晶硅膜進(jìn)行晶化處理的步驟包括：對(duì)所述第一摻雜非晶硅膜進(jìn)行晶化處理以形成第一摻雜微晶硅膜；和/或，對(duì)所述第二摻雜非晶硅膜進(jìn)行晶化處理以形成第二摻雜微晶硅膜。

可選的，對(duì)所述第一摻雜非晶硅膜進(jìn)行晶化處理以形成第一摻雜微晶硅膜的步驟包括：對(duì)所述第一摻雜非晶硅膜進(jìn)行退火處理；對(duì)所述第一摻雜非晶硅膜進(jìn)行退火處理的同時(shí)，對(duì)所述第一摻雜非晶硅膜進(jìn)行光輻射處理；對(duì)所述第二摻雜非晶硅膜進(jìn)行晶化處理以形成第二摻雜微晶硅膜的步驟包括：對(duì)所述第二摻雜非晶硅膜進(jìn)行退火處理；對(duì)所述第二摻雜非晶硅膜進(jìn)行退火處理的同時(shí)，對(duì)所述第二摻雜非晶硅膜進(jìn)行光輻射處理。

可選的，對(duì)所述第一摻雜非晶硅膜進(jìn)行退火處理在鏈?zhǔn)綗嵬嘶馉t中進(jìn)行，所述鏈?zhǔn)綗嵬嘶馉t中設(shè)置有光輻射源；采用所述光輻射源對(duì)所述第一摻雜非晶硅膜進(jìn)行光輻射處理；對(duì)所述第二摻雜非晶硅膜進(jìn)行退火處理在鏈?zhǔn)綗嵬嘶馉t中進(jìn)行，所述鏈?zhǔn)綗嵬嘶馉t中設(shè)置有光輻射源，采用所述光輻射源對(duì)所述第二摻雜非晶硅膜進(jìn)行光輻射處理。

可選的，對(duì)所述第一摻雜非晶硅膜進(jìn)行退火處理的參數(shù)包括氧氣流量為1sccm-1000sccm，退火溫度為100℃-400℃，處理時(shí)間為1min-100min；對(duì)所述第二摻雜非晶硅膜進(jìn)行退火處理的參數(shù)包括：氧氣流量為1sccm-1000sccm，退火溫度為100℃-400℃，處理時(shí)間為1min-100min。

可選的，所述光輻射源為紅外燈管，所述光輻射源的輻射功率為100kW/m²-10000kW/m²。