[發明專利]一種化合物半導體晶圓形成對準標記的濕法刻蝕方法在審
| 申請號： | 202210306173.0 | 申請日： | 2022-03-25 |
| 公開（公告）號： | CN114664647A | 公開（公告）日： | 2022-06-24 |
| 發明（設計）人： | 王超 | 申請（專利權）人： | 成都海威華芯科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/306 | 分類號： | H01L21/306;H01L23/544 |
| 代理公司： | 成都華風專利事務所(普通合伙) 51223 | 代理人： | 張巨箭 |
| 地址： | 610299 四川省成都市*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 化合物 半導體 圓形 成對 標記 濕法 刻蝕 方法 | ||
1.一種化合物半導體晶圓形成對準標記的濕法刻蝕方法,其特征在于，包括以下內容：
在晶圓表面形成對準標記圖形，其中，對準標記圖形對應的區域完全暴露，其余區域上設保護層；
采用一定化學品溶劑通過噴淋的方式對該對準標記圖形對應的區域進行刻蝕，得到對準標記；其中，刻蝕過程中保持噴頭固定在晶圓中心位置的正上方；
對刻蝕后的晶圓依次進行清洗和干燥；
去除所述保護層，得到具有對準標記的晶圓。
2.根據權利要求1所述的一種化合物半導體晶圓形成對準標記的濕法刻蝕方法,其特征在于，所述保護層為光阻或其他結構層。
3.根據權利要求1所述的一種化合物半導體晶圓形成對準標記的濕法刻蝕方法，其特征在于，所述化學品溶劑為H3PO4、H2SO4、HNO3、HF、KOH和NaOH中一種或多種與H2O2或H2O混合后的溶劑。
4.根據權利要求1所述的一種化合物半導體晶圓形成對準標記的濕法刻蝕方法，其特征在于，所述噴淋的方式包括加壓和常壓。
5.根據權利要求1所述的一種化合物半導體晶圓形成對準標記的濕法刻蝕方法，其特征在于，所述化學品溶劑噴淋出來的形貌包括但不僅限于扇形、柱狀和針狀。
6.根據權利要求1所述的一種化合物半導體晶圓形成對準標記的濕法刻蝕方法，其特征在于，對準標記圖形對應的區域進行刻蝕的時間為5秒至2小時。
7.根據權利要求1所述的一種化合物半導體晶圓形成對準標記的濕法刻蝕方法，其特征在于，對準標記圖形對應的區域進行刻蝕時的溫度為20℃至200℃。
8.根據權利要求1所述的一種化合物半導體晶圓形成對準標記的濕法刻蝕方法，其特征在于，化合物半導體包括GaAs、GaN、SiC、藍寶石以及Si基的LED、MEMS或MMIC器件。
9.根據權利要求8所述的一種化合物半導體晶圓形成對準標記的濕法刻蝕方法，其特征在于，所述化合物半導體的規格為半徑2英寸至12英寸之間的圓形器件。
10.根據權利要求1所述的一種化合物半導體晶圓形成對準標記的濕法刻蝕方法，其特征在于，化學品溶劑的噴淋在單片旋轉式機臺上進行。
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