[發明專利]一種具有高光效、低色漂移的白光發光二極管的設計方法在審
| 申請號： | 202210301523.4 | 申請日： | 2022-03-25 |
| 公開（公告）號： | CN114759127A | 公開（公告）日： | 2022-07-15 |
| 發明（設計）人： | 張韻;曹威;聶勝;帥凌霄;項文辭 | 申請（專利權）人： | 江蘇大學 |
| 主分類號： | H01L33/32 | 分類號： | H01L33/32;H01L33/06;H01L33/12;H01L33/02;H01L33/00 |
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| 地址： | 212013 江*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 具有 高光效 漂移 白光 發光二極管 設計 方法 | ||
1.一種具有高光效、低色漂移的白光發光二極管的設計方法，其特征在于，在襯底上采用MOCVD外延生長技術生長外延結構，所述外延結構沿著生長方向依次為本征GaN緩沖層、n型GaN層、有源區、p型GaN層。
2.根據權利要求1所述的具有高光效、低色漂移的白光發光二極管的設計方法，其特征在于，所述襯底的材料為(22-43)面藍寶石。
3.根據權利要求1所述的具有高光效、低色漂移的白光發光二極管的設計方法，其特征在于，在襯底上生長半極性(20-21)面的本征GaN緩沖層。
4.根據權利要求1所述的具有高光效、低色漂移的白光發光二極管的設計方法，其特征在于，所述有源區按照生長順序依次為黃光量子阱發光層、可調控中間層和藍光量子阱發光層。
5.根據權利要求4所述的具有高光效、低色漂移的白光發光二極管的設計方法，其特征在于，所述黃光量子阱中的In組分為30％，發光波長為572nm。
6.根據權利要求4所述的具有高光效、低色漂移的白光發光二極管的設計方法，其特征在于，所述黃光量子阱的生長周期為兩個。
7.根據權利要求4所述的具有高光效、低色漂移的白光發光二極管的設計方法，其特征在于，所述藍光量子阱中的In組分為17％，發光波長為450nm。
8.根據權利要求4所述的具有高光效、低色漂移的白光發光二極管的設計方法，其特征在于，所述藍光量子阱的生長周期為一個。
9.根據權利要求1所述的具有高光效、低色漂移的白光發光二極管的設計方法，其特征在于，所述可調控中間層，可以改變生長厚度、摻雜元素類型及摻雜濃度。
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