[發(fā)明專利]一種鉈摻雜碘化銫閃爍晶體制備方法和輻射探測面板有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202210299780.9 | 申請(qǐng)日: | 2022-03-25 |
| 公開(公告)號(hào): | CN114395802B8 | 公開(公告)日: | 2022-07-08 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 任國浩;史堅(jiān);李煥英;吳云濤 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 江蘇先進(jìn)無機(jī)材料研究院;中國科學(xué)院上海硅酸鹽研究所 |
| 主分類號(hào): | C30B29/12 | 分類號(hào): | C30B29/12;C30B11/00;G01T1/202 |
| 代理公司: | 蘇州市方略專利代理事務(wù)所(普通合伙) 32267 | 代理人: | 張凌宇 |
| 地址: | 215400 *** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 摻雜 碘化 閃爍 晶體 制備 方法 輻射 探測 面板 | ||
本發(fā)明涉及一種鉈摻雜碘化銫閃爍晶體制備方法和輻射探測面板。本發(fā)明的制備方法是將形成鉈摻雜碘化銫閃爍晶體的原料和用于引導(dǎo)原料結(jié)晶的籽晶置于晶體生長容器中,將晶體生長容器置于非均溫溫場中;控制溫場上部溫度大于結(jié)晶溫度下部溫度小于結(jié)晶溫度,從而在晶體生長容器中形成上部液態(tài)下部固態(tài)的固液混合狀態(tài);晶體生長容器相對(duì)溫場向下運(yùn)動(dòng),固液交界面相對(duì)晶體生長容器逐漸上移,從而使晶體生長容器底部的固體不斷長大,形成所述的鉈摻雜碘化銫閃爍晶體。該方法能夠制得直徑330毫米的大尺寸鉈摻雜碘化銫閃爍晶體,有利于促進(jìn)大尺寸鉈摻雜碘化銫閃爍晶體的低成本批量化生產(chǎn)。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于江蘇先進(jìn)無機(jī)材料研究院;中國科學(xué)院上海硅酸鹽研究所,未經(jīng)江蘇先進(jìn)無機(jī)材料研究院;中國科學(xué)院上海硅酸鹽研究所許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
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