[發明專利]一種用于電流型DC-DC轉換器的自適應死區時間控制電路

在審

• 申請號: 202210299302.8
• 申請日: 2022-03-25
• 公開（公告）號: CN114884313A
• 公開（公告）日: 2022-08-09
• 發明（設計）人: 彭克武;羅秀芳;雷旭;劉文韜
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第二十四研究所
• 主分類號: H02M1/08
• 分類號: H02M1/08
• 代理公司: 重慶輝騰律師事務所 50215
• 代理人: 王詩思

1.一種用于電流型DC-DC轉換器的自適應死區時間控制電路，其特征在于，包括：

誤差運放輸出電壓采樣轉換電路，用于對DC-DC輸出電壓和輸出電流進行實時采樣；

死區時間控制電路，用于實現DC-DC輸出電壓和輸出電流對死區時間的控制；

誤差運放輸出電壓采樣轉換電路輸出端與死區時間控制電路輸入端連接。

2.根據權利要求1所述的一種用于電流型DC-DC轉換器的自適應死區時間控制電路，其特征在于，誤差運放輸出電壓采樣轉換電路包括：第一PMOS管(PM1)、第二PMOS管(PM2)、第三PMOS管(PM3)、第四PMOS管(PM4)、第五PMOS管(PM5)、第一NMOS管(NM1)、第二NMOS管(NM2)、第三NMOS管(NM3)、第一電阻(R1)、第三PMOS管(PM3)和第一電容(C1)；

第一PMOS管(PM1)的源極與電源連接，第一PMOS管(PM1)的柵極與第一偏置電壓(REF1)連接，第一PMOS管(PM1)的漏極與第二PMOS管(PM2)的源極和第三PMOS管(PM3)的源極連接；

第二PMOS管(PM2)的源極與第三PMOS管(PM3)的源極連接，第二PMOS管(PM2)的柵極與誤差運放輸出(EAOUT)連接，第二PMOS管(PM2)的漏極與第一NMOS管(NM1)的漏極、第三NMOS管(NM3)的柵極以及第一電容(C1)負端連接；

第三PMOS管(PM3)的柵極與第四PMOS管(PM4)的漏極、第三NMOS管(NM3)的漏極、第一電阻(R1)的正端以及第二電阻(R2)的正端連接；

第一NMOS管(NM1)的漏極與第三NMOS管(NM3)的柵極和第一電容(C1)的負端連接，第一NMOS管(NM1)的柵極與第二NMOS管(NM2)的柵極、第二NMOS管(NM2)的漏極以及第三PMOS管(PM3)的漏極連接，第一NMOS管(NM1)的源極與地連接；

第二NMOS管(NM2)的柵極與第二NMOS管(NM2)的漏極和第三PMOS管(PM3)的漏極連接，第二NMOS管(NM2)的漏極與第一NMOS管(NM1)的柵極和第三PMOS管(PM3)的漏極連接，第二NMOS管(NM2)的源極與地連接；

第三NMOS管(NM3)的源極與地連接，第三NMOS管(NM3)的漏極與第四PMOS管(PM4)的漏極、第一電阻(R1)的正端以及第二電阻(R2)正端連接；

第四PMOS管(PM4)的柵極與第二偏置電壓(REF2)連接，第四PMOS管(PM4)的漏極與第一電阻(R1)的正端和第二電阻(R2)的正端連接，第四PMOS管(PM4)的源極與第五PMOS管(PM5)的漏極、第五PMOS管(PM5)的柵極、第六PMOS管(PM6)的柵極以及第七PMOS管(PM7)的柵極連接；

第五PMOS管(PM5)的柵極與第五PMOS管(PM5)的漏極連接，第五PMOS管(PM5)的源極與電源連接；

第一電容(C1)的正端與第一電阻(R1)的負端連接，第二電阻(R2)的正端與第一電阻(R1)的正端連接，第二電阻(R2)的負端與地連接。