[發明專利]一種高熔點金屬材料等離子輔助冷噴涂裝置與加工方法在審
| 申請號: | 202210298437.2 | 申請日: | 2022-03-24 |
| 公開(公告)號: | CN114717545A | 公開(公告)日: | 2022-07-08 |
| 發明(設計)人: | 于寶義;王夢宇;于博寧;鄭黎;常東旭;呂舒寧 | 申請(專利權)人: | 沈陽工業大學 |
| 主分類號: | C23C24/04 | 分類號: | C23C24/04 |
| 代理公司: | 北京京華知聯專利代理事務所(普通合伙) 11991 | 代理人: | 耿浩 |
| 地址: | 110870 遼寧省沈陽*** | 國省代碼: | 遼寧;21 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 熔點 金屬材料 等離子 輔助 噴涂 裝置 加工 方法 | ||
1.一種高熔點金屬材料等離子輔助冷噴涂裝置,其特征在于,包括第一噴嘴(1)、第二噴嘴(10)、高頻座組件和陰極座組件、第一連接件、第二連接件、第一絕緣固定板(6)和第二絕緣固定板(8),
所述第一絕緣固定板(6)包括第一絕緣部和第一固定連接部,所述第一絕緣部設置在高頻座組件和陰極座組件之間,所述第一絕緣部的外側向高頻座組件外延伸形成第一延伸部;所述第一固定連接部為多個,多個所述第一固定連接部設置在所述第一延伸部上;
所述第一絕緣固定板(6)與高頻座組件通過多個所述第一連接件相連接;
所述陰極座組件、第一絕緣部和高頻座組件圍合成等離子炬腔A;
所述第二絕緣固定板(8)包括第二絕緣部和第二固定連接部,所述第二絕緣部設置陰極座組件的底部,所述第二絕緣部的外側向陰極座組件外延伸形成第二延伸部;所述第二固定連接部為多個,多個所述第二固定連接部設置在所述第二延伸部上;
所述第二絕緣固定板(8)與陰極座組件通過多個所述第二連接件相連接;
所述高頻座組件設置有進氣系統(22),且所述進氣系統(22)與等離子炬發生腔A相連通;
所述第一噴嘴(1)設置在高頻座組件上,第一噴嘴(1)的一端與等離子炬發生腔A相連通,第一噴嘴(1)的另一端與高頻座組件外連通;
所述第二噴嘴(10)設置在陰極座組件上,第二噴嘴(10)的一端與等離子炬發生腔A相連通,第二噴嘴(10)的另一端與陰極座組件外連通;所述第二噴嘴(10)的中心線和第一噴嘴(1)的中心線在同一軸線上;
所述陰極座組件與高頻座組件均與外部電源電性連接。
2.根據權利要求1所述高熔點金屬材料等離子輔助冷噴涂裝置,其特征在于:所述外部電源包括高頻電源和直流電源;
所述高頻座組件包括,高頻座蓋(4)、高頻座(3)和高頻嘴(11);所述高頻座(3)與高頻電源電性連接;所述高頻座蓋(4)設置在高頻座(3)的外側;所述高頻嘴(11)與高頻座(3)下端通過螺紋連接;
所述陰極座組件包括陰極座(9)、陰極座蓋(7)和第二噴嘴(10),所述陰極座(9)與直流電源電性連接;所述陰極座蓋(7)設置在陰極座(9)的外側;所述第二噴嘴(10)與高陰極座(9)下端通過螺紋連接;
所述第一絕緣部位于高頻座(3)和陰極座(9)之間,所述第一絕緣部的上表面與高頻座(3)的底面靠接,所述第一絕緣部的下表面與陰極座(9)的頂面靠接,且所述第一絕緣部的外側向高頻座(3)外延伸形成第一延伸部;
所述第一固定連接部為固定板導套(5),所述固定板導套(5)的外壁與第一延伸部固定連接,所述固定板導套(5)具有豎向的連接通孔;
所述第二絕緣部位于陰極座(9)的下部,第二絕緣部的上表面與陰極座(9)的底面靠接,且所述第二絕緣部的外側向陰極座蓋(7)外延伸形成第二延伸部;所述第二固定連接部的結構與所述第一固定連接部的結構相同,且所述第二固定連接部的連接通孔與所述第一固定連接部的連接通孔在同一軸線上;
所述第一連接件為第一連接螺栓(1701),所述第一連接件由上至下依次穿過高頻座蓋(4)和第一絕緣固定板(6),將第一絕緣固定板(6)固定在高頻座(3)的底部;
所述第二連接件為第二連接螺栓(1702),所述第二連接件由上至下依次穿過陰極座蓋(7)和第二絕緣固定板(8),將第二絕緣固定板(8)固定在陰極座(9)的底部;
所述第一連接件與所述第二連接件之間設置有絕緣墊片(24);
所述等離子炬腔A是由高頻座(3)的底壁、陰極座(9)的頂壁和第一絕緣部圍合形成。
3.根據權利要求1所述高熔點金屬材料等離子輔助冷噴涂裝置,其特征在于:還包括外部保護氣源,
所述進氣系統(22)包括進氣管(2201)、進氣通道和等離子氣體腔C;所述進氣管(2201)至少一個,所述進氣管(2201)設置在高頻座(3)的頂部,且所述進氣管(2201)與外部保護氣源相連通;所述進氣通道設置在高頻座(3)內,所述進氣通道的一端與進氣管(2201)相連通,所述進氣通道的另一端與等離子氣體腔C相連通;所述等離子氣體腔C設置在高頻座(3)內,且所述等離子氣體腔C還開設有周向排布的通氣孔,所述等離子氣體腔C通過多個所述通氣孔與等離子炬發生腔A相連通。
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