[發(fā)明專利]OLED顯示面板及其制作方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202210297933.6
• 申請(qǐng)日: 2022-03-24
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN114864636A
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-08-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 鄭帥;劉兆松
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 深圳市華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/32
• 分類號(hào): H01L27/32;H01L27/12;H01L21/77;H01L51/52;H01L51/56
• 代理公司: 深圳紫藤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570
• 代理人: 林勁松

本申請(qǐng)公開(kāi)了一種OLED顯示面板及其制作方法，OLED顯示面板包括：依次層疊設(shè)置的基底層、有源層、柵極絕緣層、第一金屬層和第二金屬層，其中，有源層包括溝道部、源極接觸部、第一電極和陽(yáng)極；第二金屬層設(shè)置于第一金屬層上方與源極接觸部連接，絕緣層與第一金屬層和第二金屬層層疊設(shè)置，絕緣層對(duì)應(yīng)陽(yáng)極的位置設(shè)置有開(kāi)口；本申請(qǐng)的技術(shù)相較于常規(guī)的顯示面板，取消了平坦層，將陽(yáng)極、第一電極和溝道部同層制作，節(jié)約了三道光罩，簡(jiǎn)化了工藝流程，降低了生產(chǎn)成本。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請(qǐng)涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種OLED顯示面板及其制作方法。

背景技術(shù)

隨著OLED技術(shù)發(fā)展，IGZO材料由于其具有較低的漏電流、比a-Si更加好的遷移率的優(yōu)勢(shì)，被廣泛應(yīng)用于OLED面板行業(yè)。

IGZO材料具體可廣泛用于生產(chǎn)頂柵驅(qū)動(dòng)的陣列基板，目前，采用IGZO作為有源層材料的顯示面板在制作過(guò)程中使用的光罩?jǐn)?shù)目較多，如圖1所示，顯示面板的結(jié)構(gòu)包括襯底Gla、設(shè)置于襯底上的遮光部LS，設(shè)置于遮光部LS上的緩沖層Buf，設(shè)置于緩沖層Buf上的有源層，連接有源層的源極S、漏極D，設(shè)置于有源層上的柵極和柵極絕緣層，源極S和其上方的陽(yáng)極PE通過(guò)金屬層連接，以及設(shè)置于各層之間用于絕緣的介電層ILD、鈍化層PV、用于保證膜層間平坦的平坦層PLN，以及用于間隔電致發(fā)光層的像素定義層BANK，其制作步驟中形成遮光層LS、有源層、柵極絕緣層、柵極層、以及各層間連接的過(guò)孔等，總共需要采用11道光罩進(jìn)行制作，光罩的使用頻次較高，生產(chǎn)成本昂貴。

因此亟需一種生產(chǎn)成本低，光罩使用數(shù)量少的陣列基板結(jié)構(gòu)。

發(fā)明內(nèi)容

本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種OLED顯示面板及其制作方法，可以有效的降低OLED顯示面板制作過(guò)程中使用光罩的數(shù)量，降低OLED顯示面板的生產(chǎn)成本。

本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種OLED顯示面板，包括：

基底層；

有源層，設(shè)置于所述基底層上，所述有源層包括溝道部、設(shè)置于所述溝道部?jī)蓚?cè)的源極接觸部和第一電極、以及與所述第一電極連接的陽(yáng)極；

柵極絕緣層，設(shè)置于所述溝道部上；

第一金屬層，設(shè)置于所述柵極絕緣層上；

第二金屬層，設(shè)置于所述第一金屬層上方，包括與所述源極接觸部連接的第二電極；

絕緣層，設(shè)置于所述基底層和所述有源層上，且與所述第一金屬層和所述第二金屬層層疊設(shè)置，所述絕緣層對(duì)應(yīng)所述陽(yáng)極的位置設(shè)置有開(kāi)口。

可選的，所述源極接觸部、所述第一電極以及所述陽(yáng)極的電阻率小于所述溝道部的電阻率。

可選的，所述基底層包括依次疊設(shè)的襯底、遮光層和緩沖層，所述遮光層的上方設(shè)置有第一過(guò)孔，所述第一過(guò)孔至少貫穿所述緩沖層，所述第一電極通過(guò)所述第一過(guò)孔與所述遮光層連接。

可選的，所述絕緣層包括設(shè)置于所述有源層上的第一絕緣層，所述第二金屬層設(shè)置于所述第一絕緣層上，所述第一絕緣層上對(duì)應(yīng)所述第二電極和所述源極接觸部的位置設(shè)置有貫穿的第二過(guò)孔，所述第二電極穿過(guò)所述第二過(guò)孔與所述源極接觸部連接。

可選的，所述第二金屬層還包括設(shè)置于所述第一絕緣層上的橋接段；

所述第一絕緣層對(duì)應(yīng)所述第一電極的位置設(shè)置有第三過(guò)孔，所述第一絕緣層上設(shè)置有第四過(guò)孔，所述第一電極通過(guò)所述橋接段穿過(guò)所述第三過(guò)孔和所述第四過(guò)孔與所述陽(yáng)極連接。

可選的，所述第一過(guò)孔貫穿所述第一絕緣層，所述第一電極通過(guò)所述橋接段穿過(guò)所述第三過(guò)孔和第一過(guò)孔與所述遮光層連接。