[發(fā)明專利]碳包覆硅鐵負(fù)極材料及其制備方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202210297117.5
• 申請日: 2022-03-24
• 公開（公告）號: CN114899366A
• 公開（公告）日: 2022-08-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王培初;鄧明華;任建國;田立斌;黃浩
• 申請（專利權(quán)）人: 惠州市貝特瑞新材料科技有限公司;惠州市鼎元新能源科技有限公司
• 主分類號: H01M4/36
• 分類號: H01M4/36;H01M4/38;H01M4/48;H01M4/583;H01M10/0525;B82Y30/00;B82Y40/00
• 代理公司: 惠州知儂專利代理事務(wù)所(普通合伙) 44694
• 代理人: 羅佳龍

1.一種碳包覆硅鐵負(fù)極材料，其特征在于，包括硅鐵合金粉末、錫基導(dǎo)電氧化物層和碳包覆層，所述錫基導(dǎo)電氧化物層包覆于所述硅鐵合金粉末表面，所述碳包覆層包覆于所述錫基導(dǎo)電氧化物層表面。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碳包覆硅鐵負(fù)極材料，其特征在于，所述硅鐵合金粉末的粒徑為1μm～10μm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碳包覆硅鐵負(fù)極材料，其特征在于，所述硅鐵合金粉末為工業(yè)硅鐵合金，所述工業(yè)硅鐵合金的Si含量≥75wt％。

4.一種碳包覆硅鐵負(fù)極材料的制備方法，其特征在于，用于制備權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的碳包覆硅鐵負(fù)極材料，所述碳包覆硅鐵負(fù)極材料的制備方法包括如下步驟：

獲取硅鐵合金粉末、鑭氧化物和錫氧化物；

對所述硅鐵合金粉末進(jìn)行氣流粉碎處理；

將所述錫氧化物和所述鑭氧化物進(jìn)行煅燒操作，得到所述錫基導(dǎo)電氧化物前驅(qū)體；

對所述錫基導(dǎo)電氧化物前驅(qū)體進(jìn)行納米球磨處理；

對所述硅鐵合金粉末和所述錫基導(dǎo)電氧化物前驅(qū)體進(jìn)行混合干燥操作，得到錫基導(dǎo)電氧化物包覆硅鐵合金；

將所述錫基導(dǎo)電氧化物包覆硅鐵合金進(jìn)行碳包覆操作，得到碳包覆硅鐵負(fù)極材料。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的碳包覆硅鐵負(fù)極材料的制備方法，其特征在于，所述將所述錫基導(dǎo)電氧化物包覆硅鐵合金進(jìn)行碳包覆操作的步驟具體為：將所述錫基導(dǎo)電氧化物包覆硅鐵合金加入CVD氣相包覆爐，向CVD氣相包覆爐通入氮?dú)夂鸵胰矚獾幕旌蠚怏w，接著，進(jìn)行氣相化學(xué)沉積，以使所述錫基導(dǎo)電氧化物包覆硅鐵合金表面沉積碳而形成碳包覆層。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的碳包覆硅鐵負(fù)極材料的制備方法，其特征在于，在溫度為900℃～1000℃下進(jìn)行氣相化學(xué)沉積，沉積時(shí)間為2h～3h。

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的碳包覆硅鐵負(fù)極材料的制備方法，其特征在于，納米球磨處理后的所述錫基導(dǎo)電氧化物前驅(qū)體的粒徑小于100nm。

8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的碳包覆硅鐵負(fù)極材料的制備方法，其特征在于，在溫度為1000℃～1200℃條件下，將錫氧化物和鑭氧化物進(jìn)行煅燒操作。

9.根據(jù)權(quán)利要求4所述的碳包覆硅鐵負(fù)極材料的制備方法，其特征在于，所述錫基導(dǎo)電氧化物包覆硅鐵合金中的所述錫基導(dǎo)電氧化物前驅(qū)體的含量為0.5wt％～3wt％。

10.根據(jù)權(quán)利要求4所述的碳包覆硅鐵負(fù)極材料的制備方法，其特征在于，在所述將所述錫氧化物和所述鑭氧化物進(jìn)行煅燒操作的步驟之后，且在所述對所述硅鐵合金粉末和所述錫基導(dǎo)電氧化物前驅(qū)體進(jìn)行混合干燥操作的步驟之前，所述碳包覆硅鐵負(fù)極材料的制備方法還包括如下步驟：

采用分散劑對所述錫基導(dǎo)電氧化物前驅(qū)體進(jìn)行納米球磨處理。