[發(fā)明專利]一種提升抗靜電能力的GaN基LED外延結(jié)構在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202210294409.3 | 申請日： | 2022-03-24 |
| 公開（公告）號： | CN114613889A | 公開（公告）日： | 2022-06-10 |
| 發(fā)明（設計）人： | 潘超;楊輝;徐東;倪瑞 | 申請（專利權）人： | 淮安澳洋順昌光電技術有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/02 | 分類號： | H01L33/02;H01L33/06;H01L33/12;H01L33/14;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 淮安市科文知識產(chǎn)權事務所 32223 | 代理人： | 謝觀素 |
| 地址： | 223001 江*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 提升 抗靜電 能力 gan led 外延 結(jié)構 | ||
1.一種提升抗靜電能力的GaN基LED外延結(jié)構，包括從下至上依次分布的襯底（101）、緩沖層（102）、n型GaN層（104），應力釋放層（105），多量子阱層（106），P型包層，電子阻擋層，p型GaN層（109）和接觸層（110），其特征在于：P型包層之間和電子阻擋層之間增加插入層，所述插入層為AlN層（201）；
或，所述插入層為InxAl1-xN層（202），其中0x0.3；
或，所述插入層為AlN與InxAl1-xN復合層（203），其中0x0.3。
2.根據(jù)權利要求1所述的一種提升抗靜電能力的GaN基LED外延結(jié)構，其特征在于：所述緩沖層（102）和n型GaN層（104）之間還設有非摻雜的GaN層（103），所述P型包層為低溫pGaN層（107），所述電子阻擋層為pALGaN層（108）。
3.根據(jù)權利要求1所述的一種提升抗靜電能力的GaN基LED外延結(jié)構，其特征在于：所述插入層厚度為0.5nm~10nm。
4.根據(jù)權利要求1所述的一種提升抗靜電能力的GaN基LED外延結(jié)構，其特征在于：所述AlN與InxAl1-xN復合層（203）結(jié)構為AlN子層（211）與InxAl1-xN子層（212）循環(huán)上下疊加，循環(huán)次數(shù)為1~10次。
5.根據(jù)權利要求1所述的一種提升抗靜電能力的GaN基LED外延結(jié)構，其特征在于：所述插入層為P型氮化物層。
6.根據(jù)權利要求1所述的一種提升抗靜電能力的GaN基LED外延結(jié)構，其特征在于：所述InxAl1-xN層（202）中In組分的占比為0~17%。
7.根據(jù)權利要求1至5中任意一項所述的一種提升抗靜電能力的GaN基LED外延結(jié)構，其特征在于：所述AlN與InxAl1-xN復合層（203）中，InxAl1-xN子層（212）的In組分占比為0~17%。
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