[發(fā)明專利]高效散熱深刻蝕雙溝道脊形量子級(jí)聯(lián)激光器及制造方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202210293011.8 | 申請(qǐng)日： | 2022-03-23 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN114665382A | 公開（公告）日： | 2022-06-24 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 曲軼;馬雪歡;李再金;趙志斌;陳浩;喬忠良;李林;劉國(guó)軍 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 海南師范大學(xué) |
| 主分類號(hào)： | H01S5/34 | 分類號(hào)： | H01S5/34;H01S5/30;H01S5/22;H01S5/024;H01S5/02 |
| 代理公司： | 北京慕達(dá)星云知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 11465 | 代理人： | 李冉 |
| 地址： | 571158 海*** | 國(guó)省代碼： | 海南;46 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說(shuō)明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 高效 散熱 深刻 溝道 量子 級(jí)聯(lián) 激光器 制造 方法 | ||
1.一種高效散熱深刻蝕雙溝道脊形量子級(jí)聯(lián)激光器制造方法，其特征在于，包括以下步驟：
在InP襯底上自下而上依次生長(zhǎng)下包層、有源區(qū)和上包層；
在上包層上沉積一層SiO2硬掩膜，并通過光刻膠和UV光刻定義激光波導(dǎo)圖像；
使用CHF3+SF6+O2混合氣體刻蝕，并通過反應(yīng)性離子蝕刻將激光波導(dǎo)圖像轉(zhuǎn)移到SiO2硬掩膜層；
去除光刻膠，并依次刻蝕所述上包層、所述有源區(qū)和所述下包層；
在上包層上沉積歐姆接觸作為激光器一個(gè)頂接觸電極，在襯底底部沉積歐姆接觸用作激光器的另一個(gè)底接觸電極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高效散熱深刻蝕雙溝道脊形量子級(jí)聯(lián)激光器制造方法，其特征在于，在刻蝕所述有源區(qū)的同時(shí)，通過HF去除SiO2硬掩模層，并通過GSMBE在蝕刻結(jié)構(gòu)周圍生長(zhǎng)絕緣層；其中刻蝕結(jié)構(gòu)為所述上包層有源層和下包層經(jīng)刻蝕保留下的結(jié)構(gòu)；所述絕緣層為P型InP材料。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種高效散熱深刻蝕雙溝道脊形量子級(jí)聯(lián)激光器制造方法，其特征在于，所述上包層材料為N型摻雜；在所述絕緣層的外延面上加負(fù)電壓，在所述InP襯底加正電壓。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種高效散熱深刻蝕雙溝道脊形量子級(jí)聯(lián)激光器制造方法，其特征在于，在生長(zhǎng)完所述絕緣層后，用PECVD在所述絕緣層的外層沉積絕緣層開口圖形的SiO2掩膜，采用光學(xué)光刻和RIE蝕刻，在絕緣層的脊中心部位做一個(gè)開口；所述歐姆接觸沉積在所述開口位置，并用HF去除用于開口圖形的SiO2掩模。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種高效散熱深刻蝕雙溝道脊形兩字級(jí)聯(lián)激光器制造方法，其特征在于，在所述去除用于開口圖形的SiO2掩模之后，還包括，電鍍5μm金層，并將襯底減薄至150um。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高效散熱深刻蝕雙溝道脊形量子級(jí)聯(lián)激光器制造方法，其特征在于，刻蝕所述上包層時(shí)，采用強(qiáng)各向異性的InP刻蝕溶液，所述刻蝕溶液為強(qiáng)各向異性的HCI:CH3COOH溶液，其中HCI與CH3COOH溶液的配比為1:3。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高效散熱深刻蝕雙溝道脊形兩字級(jí)聯(lián)激光器制造方法，其特征在于，刻蝕所述有源區(qū)時(shí)，采用各向同性的HBr:HNO3:H20溶液，其中HBr、HNO3與H20的配比為1:1:10。
8.一種高效散熱深刻蝕雙溝道脊形量子級(jí)聯(lián)激光器，其特征在于，包括InP襯底、下包層、有源區(qū)和上包層；所述InP襯底、下包層、有源區(qū)和上包層自下而上依次拼接；
所述上包層、有源區(qū)和所述下包層均通過刻蝕成為與激光波導(dǎo)圖像相同的形狀；
所述上包層頂面沉積歐姆接觸，形成頂接觸電極，用于外接電源的一端；
所述襯底底面沉積歐姆接觸，形成底接觸電極，用于外接電源另一端。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的一種高效散熱深刻蝕雙溝道脊形量子級(jí)聯(lián)激光器，其特征在于，刻蝕后的所述上包層、有源區(qū)和下包層的外側(cè)設(shè)置有絕緣層；所述絕緣側(cè)為P型InP材料。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的一種高效散熱深刻蝕雙溝道脊形量子級(jí)聯(lián)激光器，其特征在于，所述上包層材料為N型摻雜；所述絕緣層的外延面接負(fù)電壓，所述InP襯底接正電壓。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于海南師范大學(xué)，未經(jīng)海南師范大學(xué)許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202210293011.8/1.html，轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專利網(wǎng)。
