[發明專利]使用熔絲的可調整列地址加擾

在審

• 申請號: 202210291615.9
• 申請日: 2020-11-19
• 公開（公告）號: CN114464243A
• 公開（公告）日: 2022-05-10
• 發明（設計）人: J·S·雷赫邁耶;C·G·維杜威特;G·B·雷德;S·艾克邁爾;D·甘斯
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: G11C29/18
• 分類號: G11C29/18;G11C29/42;G11C29/44
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 王龍

本標的物涉及使用熔絲的可調整列地址加擾。測試裝置可檢測存儲器陣列的第一列平面中的第一錯誤及所述存儲器陣列的第二列平面中的第二錯誤。所述測試裝置可基于檢測到所述第一錯誤及所述第二錯誤來識別與所述第一錯誤相關聯的所述第一列平面的第一列地址及所述第二列平面的第二列地址。所述測試裝置可對于所述第一列平面確定用于將所述第一列平面的列地址加擾到所述第一列平面的不同列地址的配置。在一些情況下，所述測試裝置可執行與所述第一列平面相關聯的熔絲的熔絲熔斷以實施所述經確定配置。

本申請是發明名稱為“使用熔絲的可調整列地址加擾”、申請號為202011301401.2、申請日為2020年11月19日的中國發明專利申請的分案申請。

交叉參考

本專利申請案主張Rehmeyer等人在2019年12月20日申請、標題為“使用熔絲的可調整列地址加擾(ADJUSTABLE COLUMN ADDRESS SCRAMBLE USING FUSES)”的第16/723,532號美國專利申請案的優先權，所述申請案已轉讓給其受讓人且其全文以引用方式明確地并入本文中。

技術領域

技術領域涉及使用熔絲的可調整列地址加擾。

背景技術

下文大體上涉及一或多個存儲器系統且更具體來說涉及使用熔絲的可調整列地址加擾。

存儲器裝置廣泛用于將信息存儲在各種電子裝置中，例如計算機、無線通信裝置、相機、數字顯示器等。通過將存儲器裝置內的存儲器單元編程到各種狀態來存儲信息。例如，二進制存儲器單元可經編程到兩種支持狀態中的一者，通常由邏輯1或邏輯0來表示。在一些實例中，單個存儲器單元可支持兩種以上狀態，其中的任一者可被存儲。為了存取經存儲信息，組件可讀取或感測存儲器裝置中的至少一種經存儲狀態。為了存儲信息，組件可將狀態寫入或編程在存儲器裝置中。

存在各種類型的存儲器裝置及存儲器單元，包含磁性硬盤、隨機存取存儲器(RAM)、只讀存儲器(ROM)、動態RAM(DRAM)、同步動態RAM(SDRAM)、鐵電RAM(FeRAM)、磁性RAM(MRAM)、電阻式RAM(RRAM)、快閃存儲器、相變存儲器(PCM)、自選存儲器、硫族化物存儲器技術等。存儲器單元可為易失性或非易失性的。非易失性存儲器(例如，FeRAM)可甚至在不存在外部電源的情況下維持其經存儲邏輯狀態達延長時段。易失性存儲器裝置(例如，DRAM)可在與外部電源斷開連接時丟失其經存儲狀態。

發明內容

描述一種方法。所述方法可包含：檢測存儲器陣列的第一列平面中的第一錯誤及所述存儲器陣列的第二列平面中的第二錯誤；至少部分地基于檢測到所述第一錯誤及所述第二錯誤來識別與所述第一錯誤相關聯的所述第一列平面的第一列地址及所述第二列平面的第二列地址；對于所述第一列平面，至少部分地基于識別所述第一列地址及所述第二列地址來確定用于將所述第一列平面的列地址加擾到所述第一列平面的不同列地址的配置；及至少部分地基于確定所述配置來執行與所述第一列平面相關聯的熔絲的熔絲熔斷以實施所述經確定配置。

描述一種設備。所述設備可包含：存儲器陣列，其包括各自包括多個列的一或多個列平面；列地址解碼器，其經配置以至少部分地基于輸入到所述列地址解碼器中的地址來在存取操作期間存取列平面的列；及一或多個熔絲，其與所述列地址解碼器的輸入耦合且用于實施用來當所述一或多個熔絲中的至少一者被熔斷時將所述列平面的列地址加擾到所述列平面的不同列地址的配置。

描述一種方法。所述方法可包含：接收包括第一列平面的第一列地址的命令；至少部分地基于與加擾所述第一列平面的列地址相關聯的熔絲的狀態來加擾所述第一列地址；及至少部分地基于加擾所述第一列地址來存取與所述第一列地址不同的所述第一列平面的第二列地址。

附圖說明

圖1說明根據如本文中所揭示的實例的支持使用熔絲的可調整列地址加擾的系統的實例。