[發明專利]一種MEMS器件的應力緩沖封裝結構

在審

• 申請號: 202210290798.2
• 申請日: 2022-03-23
• 公開（公告）號: CN114655916A
• 公開（公告）日: 2022-06-24
• 發明（設計）人: 周銘;黃艷輝;鳳瑞;鞠莉娜
• 申請（專利權）人: 中國兵器工業集團第二一四研究所蘇州研發中心
• 主分類號: B81B7/00
• 分類號: B81B7/00;B81B7/02
• 代理公司: 蘇州創元專利商標事務所有限公司 32103
• 代理人: 范晴;章榮

1.一種MEMS器件的應力緩沖封裝結構，包括封裝管殼和MEMS芯片，其特征在于：所述封裝管殼內固定設置有用于承載所述MEMS芯片的應力緩沖墊板，所述應力緩沖墊板與MEMS芯片之間設置有粘片膠；所述應力緩沖墊板包括基片，所述基片上與所述MEMS芯片相對的端面設置有至少兩個高度不相同的凸出部。

2.根據權利要求1所述的MEMS器件的應力緩沖封裝結構，其特征在于：所述凸出部包括凸臺和凸點，且所述凸點的高度大于所述凸臺的高度。

3.根據權利要求2所述的MEMS器件的應力緩沖封裝結構，其特征在于：所述基片上設置有多個凸點圈，所述凸點圈由一個或者多個分布于圓形區域內的所述凸點組成。

4.根據權利要求3所述的MEMS器件的應力緩沖封裝結構，其特征在于：所述基片上設置有四個所述凸點圈，且四個所述凸點圈分別設置于所述基片的四個頂角處；所述凸臺設置于所述基片的中心。

5.根據權利要求3所述的MEMS器件的應力緩沖封裝結構，其特征在于：所述基片上設置有三個所述凸點圈，所述凸臺與三個所述凸點圈分別設置于所述基片的四個頂角處。

6.根據權利要求3所述的MEMS器件的應力緩沖封裝結構，其特征在于：所述粘片膠同時覆蓋所述基片、凸臺和凸點圈來形成整面粘接，或者所述粘片膠覆蓋多個所述凸點圈來形成多點粘接，或者所述粘片膠覆蓋所述凸臺以及多個所述凸點圈來形成多點粘接，或者所述粘片膠覆蓋所述凸臺來形成單點粘接。

7.根據權利要求3所述的MEMS器件的應力緩沖封裝結構，其特征在于：所述MEMS芯片與凸點抵接。

8.根據權利要求2所述的MEMS器件的應力緩沖封裝結構，其特征在于：所述基片的厚度為100μm～1000μm，所述凸臺與基片的高度差為30μm～200μm，所述凸點與凸臺的高度差為5μm～30μm。

9.根據權利要求4所述的MEMS器件的應力緩沖封裝結構，其特征在于：所述凸點的直徑為10μm～50μm，形成所述凸點圈的圓形區域的直徑為300μm～900μm。

10.根據權利要求1所述的MEMS器件的應力緩沖封裝結構，其特征在于：所述應力緩沖墊板的材料是硅，采用深反應離子蝕刻工藝多次蝕刻后一體成型。